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SUP45N03-13L-E3

更新时间： 2024-11-12 21:05:19

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威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
5页	66K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SUP45N03-13L-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	45 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	3.75 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Base Number Matches：	1

SUP45N03-13L-E3 数据手册

SUP45N03-13L

Vishay Siliconix

N-Channel 30-V (D-S), 175_C MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_(BR)DSS(V)

r_DS(on)

(ꢀ )

I_D(A)

0.013 @ V = 10 V

0.02 @ V = 4.5 V

TO-220AB

DRAIN connected to TAB

G D

Top View

N-Channel MOSFET

SUP45N03-13L

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"10

= 25_C

= 125_C

Continuous Drain Current (T = 175_C)

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

100

Repetitive Avalanche Energy

L = 0.1 mH

100

Maximum Power Dissipation

= 25_C

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 175

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Junction-to-Ambient

Junction-to-Case

Free Air

thJA

thJC

C/W

1.7

Notes

a. Package limited.

b. Duty cycle v 1%.

c. See SOA curve for voltage derating.

d. When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).

For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm

Document Number: 70804

S-05011—Rev. F, 29-Oct-01

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SUP45N05-20L-E3	VISHAY	获取价格	Trans MOSFET N-CH 50V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
SUP50010E	VISHAY	获取价格	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
SUP50020E	VISHAY	获取价格	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
SUP50020EL	VISHAY	获取价格	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
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