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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SUP40N25-60-E3
SUP40N25-60-E3 PDF预览

SUP40N25-60-E3

更新时间： 2024-11-12 06:14:59
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 90K
描述
N-Channel 250-V (D-S) 175C MOSFET

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SUP40N25-60-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.74
雪崩能效等级（Eas）：61 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：250 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：40 A
最大漏极电流 (ID)：40 A最大漏源导通电阻：0.06 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：300 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：70 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SUP40N25-60-E3 数据手册

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SUP40N25-60  
Vishay Siliconix  
New Product  
N-Channel 250-V (D-S) 175_C MOSFET  
FEATURES  
D TrenchFETr Power MOSFETS  
D 175_C Junction Temperature  
PRODUCT SUMMARY  
D New Low Thermal Resistance Package  
APPLICATIONS  
V(BR)DSS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
Qg (Typ)  
0.060 @ V = 10 V  
40  
GS  
250  
95  
D Industrial  
0.064 @ V = 6 V  
GS  
38.7  
TO-220AB  
D
G
G D  
S
S
Top View  
Ordering Information: SUP40N25-60—E3  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
C
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
250  
DS  
V
GS  
V
"30  
40  
T
= 25_C  
C
Continuous Drain Current (T = 175_C)  
I
J
D
T
= 125_C  
23  
C
A
Pulsed Drain Current  
Avalanche Current  
I
70  
DM  
I
35  
AR  
a
Repetitive Avalanche Energy  
L = 0.1 mH  
E
AR  
61  
mJ  
b
T
T
= 25_C  
300  
C
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
c
= 25_C  
3.75  
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
J
−55 to 175  
_C  
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
c
Junction-to-Ambient (PCB Mount)  
R
40  
thJA  
thJC  
_
C/W  
Junction-to-Case (Drain)  
R
0.5  
Notes  
a. Duty cycle v 1%.  
b. See SOA curve for voltage derating.  
c. When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).  
Document Number: 73132  
S-42076—Rev. A, 15-Nov-04  
www.vishay.com  
1
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
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SUP50N03-5M1P VISHAY

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 		N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

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