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STP30NE03LFP

更新时间： 2024-11-25 22:07:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 107K
描述
N - CHANNEL 30V - 0.028 ohm - 30A TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET

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STP30NE03LFP 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.66Is Samacsys：N
其他特性：LOW THRESHOLD雪崩能效等级（Eas）：250 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：17 A
最大漏源导通电阻：0.055 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：68 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STP30NE03LFP 数据手册

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STP30NE03L  
STP30NE03LFP  
N - CHANNEL 30V - 0.028 Ω - 30A TO-220/TO-220FP  
STripFET POWER MOSFET  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STP30NE03L  
STP30NE03LFP  
30 V  
30 V  
< 0.04 Ω  
< 0.04 Ω  
30 A  
17 A  
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.028 Ω  
100% AVALANCHE TESTED  
LOW GATE CHARGE  
LOW THRESHOLD DRIVE  
3
3
DESCRIPTION  
2
2
This Power MOSFET is the latest developmentof  
STMicroelectronics unique ”Single Feature  
Size ” strip-based process. The resulting transi-  
stor shows extremely high packing density for low  
on-resistance, rugged avalanche characteristics  
and less critical alignment steps therefore a re-  
markable manufacturingreproducibility.  
1
1
TO-220  
TO-220FP  
APPLICATIONS  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
■
■
■
DC MOTOR CONTROL  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
SYNCHRONOUS RECTIFICATION  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STP30NE03L STP30NE03LFP  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
30  
30  
V
V
± 20  
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
30  
21  
17  
12  
A
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
A
I
DM(• )  
Drain Current (pulsed)  
120  
70  
68  
A
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
25  
W
W/oC  
V
oC  
oC  
Derating Factor  
0.47  
0.17  
2000  
VISO  
Tstg  
Tj  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
-65 to 175  
175  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
1/9  
June 1999  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP30NE06 STMICROELECTRONICS

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STP30NE06FP STMICROELECTRONICS

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