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STP30NF10FP PDF预览

STP30NF10FP

更新时间： 2024-11-22 22:40:51
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲栅局域网
页数 文件大小 规格书
11页 456K
描述
N-CHANNEL 100V - 0.038 ohm - 35A TO-220/TO-220FP/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET

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STP30NF10FP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220FP, FULL PACK-3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.73Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：275 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：18 A
最大漏极电流 (ID)：18 A最大漏源导通电阻：0.045 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：30 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：72 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STP30NF10FP 数据手册

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STB30NF10  
STP30NF10 STP30NF10FP  
2
N-CHANNEL 100V - 0.038 Ω - 35A TO-220/TO-220FP/D PAK  
LOW GATE CHARGE STripFET™ II POWER MOSFET  
V
R
I
D
TYPE  
DSS  
DS(on)  
STB30NF10  
STP30NF10  
STP30NF10FP  
100 V  
100 V  
100 V  
<0.045 Ω  
<0.045 Ω  
<0.045 Ω  
35 A  
35 A  
18 A  
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.038 Ω  
DS  
3
3
1
2
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
1
2
D PAK  
TO-263  
TO-220FP  
APPLICATION ORIENTED  
CHARACTERIZATION  
(Suffix “T4”)  
2
■
SURFACE-MOUNTING D PAK (TO-263)  
POWER PACKAGE IN TUBE (NO SUFFIX) OR  
IN TAPE & REEL (SUFFIX “T4”)  
3
2
1
TO-220  
DESCRIPTION  
This Power MOSFET is the latest development of  
STMicroelectronis unique "Single Feature Size™"  
strip-based process. The resulting transistor  
shows extremely high packing density for low on-  
resistance, rugged avalanche characteristics and  
less critical alignment steps therefore a remark-  
able manufacturing reproducibility.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
HIGH-EFFICIENCY DC-DC CONVERTERS  
■
UPS AND MOTOR CONTROL  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STB30NF10  
STP30NF10FP  
STP30NF10  
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
100  
100  
± 20  
V
V
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
V
I
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
35  
25  
18  
13  
72  
30  
0.2  
A
D
C
I
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
A
D
C
I
(•)  
Drain Current (pulsed)  
140  
115  
0.77  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
tot  
C
Derating Factor  
W/°C  
V/ns  
mJ  
V
(1)  
(2)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Single Pulse Avalanche Energy  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
28  
dv/dt  
E
275  
AS  
V
ISO  
------  
2000  
T
stg  
-55 to 175  
°C  
T
Operating Junction Temperature  
j
(•) Pulse width limited by safe operating area.  
(1) I ≤30A, di/dt ≤400A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
SD  
DD  
(BR)DSS j JMAX  
o
(2) Starting T = 25 C, I = 15A, V = 30V  
j
D
DD  
May 2002  
1/11  
.
1234567...11

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与STP30NF10FP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP30NF20 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 200V - 0.065ヘ - 30A - TO-220/TO-247
STP30NM30N STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 300V - 0.078ヘ - 30A - TO-220 Ultra
STP30NM50N STMICROELECTRONICS

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 		27A, 500V, 0.115ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
STP30NM60N STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 600 V, 0.1 Ω, 25 A, MDmesh™ II Powe
STP30NM60ND STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 600V - 0.11ヘ - 25A TO-220/FP/D2PAK/
STP30NS15LFP STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 150V - 0.085 W - 10A TO-220FP MESH
STP310N10F7 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 100 V, 2.3 mΩ typ., 180 A STripFET
STP315N10F7 STMICROELECTRONICS

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 		汽车级N沟道100 V、2.3 mOhm典型值、180 A STripFET F7功率MO
STP31N65M5 STMICROELECTRONICS

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 		N沟道650 V、0.124 Ohm典型值、22 A MDmesh M5功率MOSFET，
STP-32AMP4 POWERVOLT

获取价格

 		The Power Supply for Stepping Motors

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