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STP30NE06FP

更新时间： 2024-02-16 06:25:20
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 50K
描述
N - CHANNEL 60V - 0.042 ohm - 30A - TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET

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STP30NE06FP 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220FP, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.67Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：100 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：17 A最大漏极电流 (ID)：17 A
最大漏源导通电阻：0.06 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：30 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：68 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STP30NE06FP 数据手册

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STP30NE06  
STP30NE06FP  
N - CHANNEL 60V - 0.042  
Ω
- 30A - TO-220/TO-220FP  
STripFET POWER MOSFET  
PRELIMINARY DATA  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STP30NE06  
STP30NE06FP  
60 V  
60 V  
< 0.050 Ω  
30 A  
17 A  
< 0.050  
Ω
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.042  
Ω
AVALANCHERUGGED TECHNOLOGY  
100% AVALANCHE TESTED  
175oC OPERATING TEMPERATURE  
HIGH dV/dt CAPABILITY  
APPLICATIONORIENTED  
CHARACTERIZATION  
3
3
2
2
1
1
DESCRIPTION  
TO-220  
TO-220FP  
This Power Mosfet is the latest development of  
STMicroelectronics unique ”Single Feature Size”  
process whereby a single body is implanted on a  
strip layout structure. The resulting transistor  
shows extremely high packing density for low on-  
resistance, rugged avalance characteristics and  
less critical alignment steps therefore a remarka-  
ble manufacturingreproducibility.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
DC MOTOR CONTROL  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
SYNCHRONOUS RECTIFICATION  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
STP30NE06 STP30NE06FP  
Unit  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 k  
Gate-source Voltage  
60  
60  
V
V
)
Ω
± 20  
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
30  
21  
17  
12  
A
ID  
A
IDM(• )  
Ptot  
120  
80  
68  
A
o
Total Dissipation at Tc = 25 C  
30  
W
Derating Factor  
0.53  
0.2  
2000  
W/oC  
VISO  
dV/dt  
Tstg  
Tj  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
V
7
V/ns  
oC  
oC  
-65 to 175  
Max. Operating Junction Temperature  
175  
•
≤ ≤ µ ≤ ≤  
(1) ISD 30 A, di/dt 300 A/ s, VDD V(BR)DSS, Tj TJMAX  
( ) Pulse width limited by safe operating area  
’
1/6  
January 1999  
123456

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与STP30NE06FP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP30NE06L STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL 60V - 0.035 ohm - 30A - TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET
STP30NE06LFP STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL 60V - 0.035 ohm - 30A - TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET
STP30NF10 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 100V - 0.038 ohm - 35A TO-220/TO-22
STP30NF10FP STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 100V - 0.038 ohm - 35A TO-220/TO-22
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 		N-channel 200V - 0.065ヘ - 30A - TO-220/TO-247
STP30NM30N STMICROELECTRONICS

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STP30NM50N STMICROELECTRONICS

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 		27A, 500V, 0.115ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
STP30NM60N STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 600 V, 0.1 Ω, 25 A, MDmesh™ II Powe
STP30NM60ND STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 600V - 0.11ヘ - 25A TO-220/FP/D2PAK/
STP30NS15LFP STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 150V - 0.085 W - 10A TO-220FP MESH

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