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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STP30N65M5
STP30N65M5 PDF预览

STP30N65M5

更新时间： 2024-11-23 12:28:19
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
22页 1281K
描述
N-channel 650 V, 0.125 Ω, 22 A, MDmesh™ V Power MOSFET D²PAK, TO-220FP, I²PAK, TO-220, TO-247

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STP30N65M5 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AB包装说明：ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：17 weeks
风险等级：1.69Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE ENERGY RATED雪崩能效等级（Eas）：500 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：650 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：22 A最大漏极电流 (ID)：22 A
最大漏源导通电阻：0.139 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：140 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：88 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STP30N65M5 数据手册

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STB30N65M5, STF30N65M5, STI30N65M5  
STP30N65M5, STW30N65M5  
N-channel 650 V, 0.125 Ω, 22 A, MDmesh™ V Power MOSFET  
D²PAK, TO-220FP, I²PAK, TO-220, TO-247  
Features  
VDSS  
TJMAX  
@
Order codes  
RDS(on) max.  
ID  
3
3
1
2
3
1
2
STB30N65M5  
STF30N65M5  
STI30N65M5  
STP30N65M5  
STW30N65M5  
710 V  
710 V  
710 V  
710 V  
710 V  
< 0.139 Ω  
< 0.139 Ω  
< 0.139 Ω  
< 0.139 Ω  
< 0.139 Ω  
22 A  
22 A(1)  
22 A  
1
D²PAK  
I²PAK  
TO-220FP  
22 A  
22 A  
1. Limited only by maximum temperature allowed  
3
3
2
2
1
1
■ Worldwide best R  
*area  
DS(on)  
TO-220  
TO-247  
■ Higher V  
rating  
DSS  
■ Excellent switching performance  
■ Easy to drive  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
■ 100% avalanche tested  
■ High dv/dt capability  
$ꢅꢆꢇ  
Applications  
■ Switching applications  
'ꢅꢁꢇ  
Description  
These devices are N-channel MDmesh™ V  
Power MOSFETs based on an innovative  
proprietary vertical process technology, which is  
combined with STMicroelectronics’ well-known  
PowerMESH™ horizontal layout structure. The  
resulting product has extremely low on-  
3ꢅꢈꢇ  
!-ꢀꢁꢂꢃꢄVꢁ  
resistance, which is unmatched among silicon-  
based Power MOSFETs, making it especially  
suitable for applications which require superior  
power density and outstanding efficiency.  
Table 1.  
Device summary  
Order codes  
Marking  
Package  
D²PAK  
Packaging  
STB30N65M5  
STF30N65M5  
STI30N65M5  
STP30N65M5  
STW30N65M5  
30N65M5  
30N65M5  
30N65M5  
30N65M5  
30N65M5  
Tape and reel  
Tube  
TO-220FP  
I²PAK  
Tube  
TO-220  
TO-247  
Tube  
Tube  
September 2011  
Doc ID 15331 Rev 3  
1/22  
www.st.com  
22  
1234567...22

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STP30N65M5 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STI30N65M5 STMICROELECTRONICS

完全替代

 N-channel 650 V, 0.125 Ω, 22 A, MDmesh™ V
STB30N65M5 STMICROELECTRONICS

完全替代

 N-channel 650 V, 0.125 Ω, 22 A, MDmesh™ V
SIHP24N65E-GE3 VISHAY

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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STP30NE03LFP STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL 30V - 0.028 ohm - 30A TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET
STP30NE06 STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL 60V - 0.042 ohm - 30A - TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET
STP30NE06FP STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL 60V - 0.042 ohm - 30A - TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET
STP30NE06L STMICROELECTRONICS

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