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STP3020L PDF预览

STP3020L

更新时间： 2024-11-22 22:42:39
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 86K
描述
N - CHANNEL 30V - 0.019ohm - 40A - TO-220 STripFET POWER MOSFET

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STP3020L 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.88
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：40 A
最大漏极电流 (ID)：40 A最大漏源导通电阻：0.038 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：80 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：160 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STP3020L 数据手册

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STP3020L  
N - CHANNEL 30V - 0.019  
Ω
- 40A - TO-220  
STripFET POWER MOSFET  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STP3020L  
30 V  
< 0.022 Ω  
40 A  
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.019 Ω  
LOW GATE CHARGE A 100oC  
APPLICATIONORIENTED  
CHARACTERIZATION  
DESCRIPTION  
3
This Power Mosfet is the latest development of  
STMicroelectronics unique ”Single Feature  
Size ” strip-based process. The resulting transi-  
stor shows extremely high packing density for low  
on-resistance, rugged avalance characteristics  
and less critical alignment steps therefore a re-  
markable manufacturingreproducibility.  
2
1
TO-220  
APPLICATIONS  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
■
■
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
DC-AC & DC-AC CONVERTERS IN HIGH  
PERFORMANCE VRMs  
■
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,  
ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Parameter  
Value  
30  
Unit  
V
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
30  
V
20  
V
±
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
40  
A
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
28  
160  
A
I
DM(• )  
Drain Current (pulsed)  
A
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
80  
W
Derating Factor  
0.53  
W/oC  
oC  
oC  
Tstg  
Tj  
Storage Temperature  
-65 to 175  
175  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
1/8  
March 1999  
12345678

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