5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 12 weeks |
| 风险等级： | 1.7 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 150 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 900 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.1 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2.1 A | 最大漏源导通电阻： | 6.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 70 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 8.4 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STP60NF06 | STMICROELECTRONICS |
类似代替  |
N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A TO-220/TO-220F |
|
| STP5NK100Z | STMICROELECTRONICS |
类似代替 |
N-CHANNEL 1000V - 2.7W - 3.5A TO-220/TO-220FP/TO-247 Zener-Protected SuperMESHTM MOSFET |
|
| STP55NF06 | STMICROELECTRONICS |
类似代替 |
N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220 |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP3,5-3 | PHOENIX |
获取价格 |
Terminal Block Accessory |
|
| STP300NH02L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 24V - 120A - TO-220 / D2PAK STripFET TM Power MOSFET |
|
| STP3010PGA | ETC |
获取价格 |
32-Bit Graphics (GUI) Accelerator |
|
| STP3015L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 30V - 0.013 ohm - 40A - D2PAK/TO-220 STripFETO POWER MOSFET |
|
| STP3020 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 30V - 0.019ohm - 40A - TO-220 STripFET POWER MOSFET |
|
| STP3020L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 30V - 0.019ohm - 40A - TO-220 STripFET POWER MOSFET |
|
| STP3052D | STANSON |
获取价格 |
TO-251/TO-252 |
|
| STP3055L2 | SAMHOP |
获取价格 |
N-Channel Logic Level E nhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| STP30N05 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
|
| STP30N05FI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
