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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STP22NM60N
STP22NM60N PDF预览

STP22NM60N

更新时间： 2024-09-25 12:26:15
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲PC局域网
页数 文件大小 规格书
23页 994K
描述
N-channel 600 V, 0.2 Ω, 16 A MDmesh™ II Power MOSFET

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STP22NM60N 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：16 weeks
风险等级：2.25Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：222399
Samacsys Pin Count：3Samacsys Part Category：Transistor
Samacsys Package Category：Transistor Outline, VerticalSamacsys Footprint Name：TO-220 TYPE A
Samacsys Released Date：2015-07-28 07:27:39Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：300 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：16 A最大漏极电流 (ID)：16 A
最大漏源导通电阻：0.22 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：125 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：64 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STP22NM60N 数据手册

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STB22NM60N, STF22NM60N, STI22NM60N  
STP22NM60N, STW22NM60N  
N-channel 600 V, 0.2 Ω, 16 A MDmesh™ II Power MOSFET  
in D2PAK, TO-220FP, I2PAK, TO-220 and TO-247  
Features  
VDSS  
(@Tjmax)  
RDS(on)  
max.  
Order codes  
ID  
3
1
3
3
2
STB22NM60N  
STF22NM60N  
STI22NM60N  
STP22NM60N  
STW22NM60N  
650 V  
650 V  
650 V  
650 V  
650 V  
< 0.22 Ω  
< 0.22 Ω  
< 0.22 Ω  
< 0.22 Ω  
< 0.22 Ω  
16 A  
16 A  
16 A  
16 A  
16 A  
1
2
1
D²PAK  
TO-220FP  
I²PAK  
3
3
2
1
■ 100% avalanche tested  
2
1
TO-220  
■ Low input capacitance and gate charge  
■ Low gate input resistance  
TO-247  
Application  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
Switching applications  
$ꢅꢆꢇ  
Description  
These devices are made using the second  
generation of MDmesh™ technology. This  
revolutionary Power MOSFET associates a new  
vertical structure to the company’s strip layout to  
yield one of the world’s lowest on-resistance and  
gate charge. It is therefore suitable for the most  
demanding high efficiency converters.  
'ꢅꢁꢇ  
3ꢅꢈꢇ  
!-ꢀꢁꢂꢃꢄVꢁ  
Table 1.  
Device summary  
Order codes  
Marking  
Package  
D²PAK  
Packaging  
STB22NM60N  
STF22NM60N  
STI22NM60N  
STP22NM60N  
STW22NM60N  
Tape and reel  
TO-220FP  
I²PAK  
22NM60N  
Tube  
TO-220  
TO-247  
January 2011  
Doc ID 15853 Rev 4  
1/23  
www.st.com  
23  
1234567...23

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STP22NM60N 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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