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STP23NM60N

更新时间: 2024-01-06 09:08:48
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
19页 554K
描述
N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FP TO-247, second generation MDmesh™ Power MOSFET

STP23NM60N 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-220AB包装说明:ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:8.55
Samacsys Confidence:3Samacsys Status:Released
Samacsys PartID:222400Samacsys Pin Count:3
Samacsys Part Category:TransistorSamacsys Package Category:Transistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint Name:TO-220 (dual gauge)Samacsys Released Date:2015-07-28 08:01:28
Is Samacsys:N雪崩能效等级(Eas):700 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):19.5 A最大漏极电流 (ID):19.5 A
最大漏源导通电阻:0.18 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):150 W最大脉冲漏极电流 (IDM):78 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

STP23NM60N 数据手册

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STB23NM60N-STF23NM60N  
STI23NM60N-STP23NM60N-STW23NM60N  
N-channel 600 V - 0.150 - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FP  
TO-247, second generation MDmesh™ Power MOSFET  
Features  
VDSS  
(@Tjmax)  
RDS(on)  
max  
Type  
ID  
3
3
2
1
1
STB23NM60N  
STI23NM60N  
STF23NM60N  
STP23NM60N  
STW23NM60N  
19 A  
19 A  
19 A (1)  
PAK  
PAK  
3
650 V  
0.180 Ω  
2
1
19 A  
TO-247  
19 A  
3
3
2
2
1
1
1. Limited only by maximum temperature allowed  
TO-220FP  
TO-220  
100% avalanche tested  
Low input capacitance and gate charge  
Low gate input resistance  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
Application  
Switching applications  
Description  
This series of devices is designed using the  
second generation of MDmesh™ technology. This  
revolutionary Power MOSFET associates a new  
vertical structure to the company’s strip layout to  
yield one of the world’s lowest on-resistance and  
gate charge. It is therefore suitable for the most  
demanding high efficiency converters.  
Table 1.  
Device summary  
Order codes  
Marking  
Package  
Packaging  
STB23NM60N  
STI23NM60N  
STF23NM60N  
STP23NM60N  
23NM60N  
23NM60N  
23NM60N  
23NM60N  
23NM60N  
PAK  
PAK  
Tape and reel  
Tube  
TO-220FP  
TO-220  
Tube  
Tube  
STW23NM60N  
TO-247  
Tube  
March 2008  
Rev 3  
1/19  
www.st.com  
19  

STP23NM60N 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STW23NM60N STMICROELECTRONICS

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