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STP26NM60ND

更新时间： 2024-11-23 19:47:07
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
23页 1336K
描述
N-channel 600 V, 0.145 Ohm typ., 21 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in TO-220 package

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STP26NM60ND 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：TO-220, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：8.66
雪崩能效等级（Eas）：100 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (ID)：21 A最大漏源导通电阻：0.175 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：190 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：84 A表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STP26NM60ND 数据手册

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STB26NM60ND, STF26NM60ND,  
STP26NM60ND, STW26NM60ND  
N-channel 600 V, 0.145 Ω typ., 21 A, FDmesh™ II Power MOSFETs  
in D²PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packages  
Datasheet  
-
production data  
Features  
TAB  
Order codes  
VDS @ Tjmax RDS(on) max  
ID  
3
1
STB26NM60ND  
STF26NM60ND  
STP26NM60ND  
STW26NM60ND  
2
3
D PAK  
2
1
650 V  
0.175  
21 A  
TO-220FP  
TAB  
• 100% avalanche tested  
3
3
• Low input capacitance and gate charge  
• Low gate input resistance  
2
2
1
1
TO-220  
TO-247  
• Extremely high dv/dt and avalanche  
Figure 1. Internal schematic diagram  
capabilities  
Applications  
'ꢀ7$%ꢁꢂꢃꢄ  
• Switching applications  
Description  
*ꢀꢅꢄ  
These FDmesh™ II Power MOSFETs with  
intrinsic fast-recovery body diode are produced  
using the second generation of MDmesh™  
technology. Utilizing a new strip-layout vertical  
structure, these revolutionary devices feature  
extremely low on-resistance and superior  
switching performance. They are ideal for bridge  
topologies and ZVS phase-shift converters.  
6ꢀꢆꢄ  
!-ꢀꢁꢂꢃꢄVꢁ  
Table 1. Device summary  
Order codes  
Marking  
Packages  
Packaging  
STB26NM60ND  
STF26NM60ND  
STP26NM60ND  
STW26NM60ND  
D²PAK  
TO-220FP  
TO-220  
Tape and reel  
26NM60ND  
Tube  
TO-247  
November 2013  
DocID025283 Rev 1  
1/23  
This is information on a product in full production.  
www.st.com  
1234567...23

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与STP26NM60ND相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP270N04 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 40V - 2.1m-ohm - 160A - TO-220 - D-2PAK - I-2PAK STripFET-TM Power MOSFET
STP270N4F3 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 40V - 2.1m ohm - 160A - TO-220 - D2PAK - I2PAK STripFE TM Power MOSFET
STP270N8F7 STMICROELECTRONICS

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 		N沟道80 V、2.1 mOhm典型值、180 A STripFET F7功率MOSFET
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STP28N60DM2 STMICROELECTRONICS

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STP28N60M2 STMICROELECTRONICS

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STP28NM50N STMICROELECTRONICS

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 		N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh
STP28NM60ND STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 600 V, 0.120 Ohm typ., 24 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in TO-2
STP2CMP STMICROELECTRONICS

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 		Low voltage 2-channel constant current LED driver with charge pump

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