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STP2N60FI

更新时间： 2024-11-25 22:42:39
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 201K
描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

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STP2N60FI 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：ISOWATT220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.65Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：105 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.2 A最大漏极电流 (ID)：2.2 A
最大漏源导通电阻：3.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：50 pFJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：35 W
最大功率耗散 (Abs)：35 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：11 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最大开启时间（吨）：130 ns
Base Number Matches：1

STP2N60FI 数据手册

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STP2N60  
STP2N60FI  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
POWER MOS TRANSISTOR  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STP2N60  
STP2N60FI  
600 V  
600 V  
< 3.5 Ω  
< 3.5 Ω  
2.9 A  
2.2 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 3.2 Ω  
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY  
100% AVALANCHE TESTED  
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC  
APPLICATION ORIENTED  
3
3
2
2
1
1
CHARACTERIZATION  
APPLICATIONS  
TO-220  
ISOWATT220  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
CHOPPER REGULATORS, CONVERTERS,  
MOTOR CONTROL, LIGHTING FOR  
INDUSTRIAL AND CONSUMER  
ENVIRONMENT  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STP2N60  
STP2N60FI  
VDS  
VDG R  
VGS  
ID  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
600  
600  
± 20  
V
V
V
2.9  
1.7  
11  
2.2  
1.3  
A
ID  
A
IDM(•)  
Ptot  
11  
A
Total Dissipation at Tc = 25 oC  
70  
35  
W
W/oC  
V
oC  
oC  
Derating Factor  
0.56  
0.28  
2000  
VISO  
Tstg  
Tj  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
-65 to 150  
150  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
1/10  
December 1996  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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