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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220FP |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.65 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 60 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 700 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.4 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1.4 A | 最大漏源导通电阻： | 8.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 5.6 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP2NK100Z | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 1000 V, 6.25 Ω, 1.85 A, TO-220, DPA |
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| STP2NK60Z | STMICROELECTRONICS |
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Zener-Protected SuperMESH MOSFET |
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| STP2NK90Z | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 900V-5W-2.1A TO-220/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESHTM MOSFET |
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| STP3,5-3 | PHOENIX |
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Terminal Block Accessory |
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| STP300NH02L | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 24V - 120A - TO-220 / D2PAK STripFET TM Power MOSFET |
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| STP3010PGA | ETC |
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32-Bit Graphics (GUI) Accelerator |
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| STP3015L | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 30V - 0.013 ohm - 40A - D2PAK/TO-220 STripFETO POWER MOSFET |
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| STP3020 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 30V - 0.019ohm - 40A - TO-220 STripFET POWER MOSFET |
|
| STP3020L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 30V - 0.019ohm - 40A - TO-220 STripFET POWER MOSFET |
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| STP3052D | STANSON |
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TO-251/TO-252 |
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