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STP2NA50

更新时间： 2024-11-22 22:12:19
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 60K
描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

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STP2NA50 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：1.61
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：42 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.8 A最大漏极电流 (ID)：2.8 A
最大漏源导通电阻：4 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：75 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：11.2 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

STP2NA50 数据手册

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STP2NA50  
STP2NA50FI  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
POWER MOS TRANSISTOR  
PRELIMINARY DATA  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
< 4 Ω  
4 Ω  
ID  
STP2NA50  
STP2NA50FI  
500 V  
500 V  
2.8 A  
2 A  
<
■
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 3.25 Ω  
± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING  
100% AVALANCHE TESTED  
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC  
LOW INTRINSIC CAPACITANCES  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
3
2
2
1
1
REDUCED THRESHOLD VOLTAGE SPREAD  
TO-220  
ISOWATT220  
APPLICATIONS  
■
MEDIUM CURRENT, HIGH SPEED  
SWITCHING  
■
■
SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
CONSUMER AND INDUSTRIAL LIGHTING  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STP2NA50  
STP2NA50FI  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Drain-Source Voltage (Vgs = 0)  
Drain-Gate Voltage (Rgs = 20 KΩ)  
Gate-Source Voltage  
Drain-Current (continuous) at Tc = 25oC  
Drain-Current (continuous) at Tc = 100oC  
Drain-Current (Pulsed)  
500  
500  
± 30  
V
V
V
2.8  
1.8  
11.2  
75  
2
A
ID  
1.25  
11.2  
35  
A
IDM(• )  
Ptot  
A
Total Dissipation at Tc = 25oC  
W
Derating Factor  
0.6  
-
0.28  
4000  
W/oC  
VISO  
Tstg  
Tj  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
V
-65 to 150  
150  
oC  
oC  
Max Operating Junction Temperature  
(•)Pulse width limited by safe operating area  
1/6  
March 1996  
123456

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与STP2NA50相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP2NA50FI STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP2NC60 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 600V - 7ohm - 1.9A - TO-220/TO-220F
STP2NC60FP STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 600V - 7ohm - 1.9A - TO-220/TO-220F
STP2NC70Z STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 700V - 7.3ohm - 1.4A TO-220/FP/DPAK
STP2NC70ZFP STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 700V - 7.3ohm - 1.4A TO-220/FP/DPAK
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 		N-channel 24V - 120A - TO-220 / D2PAK STripFET TM Power MOSFET

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