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STP270N8F7

更新时间： 2023-09-23 06:48:50
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
21页 1673K
描述
N沟道80 V、2.1 mOhm典型值、180 A STripFET F7功率MOSFET，TO-220封装

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STP270N8F7 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：TO-220, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：1.69
其他特性：ULTRA LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：1160 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：80 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：180 A
最大漏极电流 (ID)：180 A最大漏源导通电阻：0.0025 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：315 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：720 A
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STP270N8F7 数据手册

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STH270N8F7-2, STH270N8F7-6,  
STP270N8F7  
N-channel 80 V, 0.0017 Ω typ., 180 A, STripFET™ VII DeepGATE  
Power MOSFETs in H2PAK-2, H2PAK-6 and TO-220 packages  
Datasheet  
−
production data  
TAB  
Features  
TAB  
Order codes  
VDS  
RDS(on) max  
ID  
2
1
7
3
STH270N8F7-2  
STH270N8F7-6  
STP270N8F7  
1
0.0021 Ω  
0.0025 Ω  
H2PAK-2  
H2PAK-6  
80 V  
180 A  
TAB  
• Ultra low on-resistance  
• 100% avalanche tested  
3
2
1
Applications  
TO-220  
Figure 1. Internal schematic diagram  
• Switching applications  
Description  
$ ꢆ4!"ꢇ  
$ ꢆꢈꢉ 4!"ꢇ  
These devices are N-channel Power MOSFETs  
developed using the 7th generation of STripFET™  
DeepGATE™ technology, with a new gate  
structure. The resulting Power MOSFET exhibits  
the lowest RDS(on) in all packages.  
' ꢆꢁꢇ  
'ꢆꢁꢇ  
3 ꢆꢈꢉ ꢅꢉꢂ ꢉ ꢄꢉ ꢊ ꢉꢃꢇ  
3ꢆꢅꢇ  
(ꢈ0!+ꢋꢈꢉ (ꢈ0!+ꢋꢊ  
4/ꢋꢈꢈꢀ  
!-ꢀꢁꢂꢃꢄVꢅ  
Table 1. Device summary  
Order codes  
Marking  
Package  
Packaging  
STH270N8F7-2  
STH270N8F7-6  
STP270N8F7  
H2PAK-2  
H2PAK-6  
TO-220  
Tape and reel  
Tube  
270N8F7  
October 2013  
DocID024006 Rev 3  
1/21  
This is information on a product in full production.  
www.st.com  
21  
 
1234567...21

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与STP270N8F7相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP27N3LH5 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 30 V, 0.014 Ohm, 27 A, TO-220 STripFET (TM) V Power MOSFET
STP28N60DM2 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N沟道600 V、0.13 Ohm典型值、21 A MDmesh DM2功率MOSFET，
STP28N60M2 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N沟道600 V、0.135 Ohm典型值、22 A MDmesh M2功率MOSFET，
STP28N65M2 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N沟道650 V、0.15 Ohm典型值、20 A MDmesh M2功率MOSFET，T
STP28NM50N STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh
STP28NM60ND STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 600 V, 0.120 Ohm typ., 24 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in TO-2
STP2CMP STMICROELECTRONICS

获取价格

 		Low voltage 2-channel constant current LED driver with charge pump
STP2CMPQTR STMICROELECTRONICS

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 		Low voltage 2-channel constant current LED driver with charge pump
STP2HNC60 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 600V - 4ohm - 2.2A TO-220/TO-220FP
STP2HNC60FP STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 600V - 4ohm - 2.2A TO-220/TO-220FP

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