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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | TO-220, 3 PIN | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 1.69 |
| 其他特性： | ULTRA LOW RESISTANCE | 雪崩能效等级（Eas）： | 1160 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 80 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 180 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 180 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0025 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 315 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 720 A |
| 子类别： | FET General Purpose Powers | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP27N3LH5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 30 V, 0.014 Ohm, 27 A, TO-220 STripFET (TM) V Power MOSFET |
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| STP28N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.13 Ohm典型值、21 A MDmesh DM2功率MOSFET， |
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| STP28N60M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.135 Ohm典型值、22 A MDmesh M2功率MOSFET， |
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| STP28N65M2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道650 V、0.15 Ohm典型值、20 A MDmesh M2功率MOSFET，T |
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| STP28NM50N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh |
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| STP28NM60ND | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V, 0.120 Ohm typ., 24 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in TO-2 |
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| STP2CMP | STMICROELECTRONICS |
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Low voltage 2-channel constant current LED driver with charge pump |
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| STP2CMPQTR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Low voltage 2-channel constant current LED driver with charge pump |
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| STP2HNC60 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 600V - 4ohm - 2.2A TO-220/TO-220FP |
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| STP2HNC60FP | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V - 4ohm - 2.2A TO-220/TO-220FP |
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