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STP28NM50N

更新时间: 2024-11-23 12:26:11
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲PC局域网
页数 文件大小 规格书
21页 966K
描述
N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh

STP28NM50N 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
零件包装代码:TO-220AB包装说明:ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:16 weeks
风险等级:2.25Samacsys Confidence:4
Samacsys Status:ReleasedSamacsys PartID:424938
Samacsys Pin Count:3Samacsys Part Category:MOSFET (N-Channel)
Samacsys Package Category:Transistor Outline, VerticalSamacsys Footprint Name:TO-220
Samacsys Released Date:2017-09-26 08:07:01Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):430 mJ配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:500 V最大漏极电流 (Abs) (ID):21 A
最大漏极电流 (ID):21 A最大漏源导通电阻:0.158 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):90 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):84 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

STP28NM50N 数据手册

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STP28NM50N 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STB28NM50N STMICROELECTRONICS

完全替代

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