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STP2HNC60

更新时间： 2024-02-19 02:11:00
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 329K
描述
N-CHANNEL 600V - 4ohm - 2.2A TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩II MOSFET

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STP2HNC60 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.64Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：110 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.2 A最大漏极电流 (ID)：2.2 A
最大漏源导通电阻：5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：245
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：30 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：8.8 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STP2HNC60 数据手册

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STP2HNC60  
STP2HNC60FP  
N-CHANNEL 600V - 4Ω - 2.2A TO-220/TO-220FP  
PowerMesh™II MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STP2HNC60  
STP2HNC60FP  
600 V  
600 V  
< 5 Ω  
< 5 Ω  
2.2 A  
2.2 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 4 Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
NEW HIGH VOLTAGE BENCHMARK  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
3
2
2
1
1
TO-220  
TO-220FP  
DESCRIPTION  
The PowerMESH™II is the evolution of the first  
generation of MESH OVERLAY™. The layout re-  
finements introduced greatly improve the Ron*area  
figure of merit while keeping the device at the lead-  
ing edge for what concerns swithing speed, gate  
charge and ruggedness.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVER  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STP2HNC60  
STP2HNC60FP  
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
600  
600  
± 30  
V
V
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
V
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
2.2  
1.4  
8.8  
60  
2.2(*)  
1.4(*)  
8.8(*)  
30  
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
A
D
C
I
( )  
●
Drain Current (pulsed)  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
TOT  
C
Derating Factor  
0.48  
0.24  
W/°C  
V/ns  
V
dv/dt  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
3.5  
V
ISO  
--  
2000  
T
stg  
–65 to 150  
150  
°C  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(1)I ≤ 2.2A, di/dt ≤100A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
(BR)DSS j JMAX  
(•)Pulse width limited by safe operating area  
SD  
DD  
(*) Limited only by maximum temperature allowed  
.
.
May 2001  
1/9  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP2HNC60FP STMICROELECTRONICS

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