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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 21页 | 1114K |  |
| 描述 | ||
| N沟道600 V、0.135 Ohm典型值、22 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-220封装 | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 16 weeks |
| 风险等级： | 2.25 | 雪崩能效等级（Eas）： | 350 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 22 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 22 A | 最大漏源导通电阻： | 0.15 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 170 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 88 A |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP28N65M2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道650 V、0.15 Ohm典型值、20 A MDmesh M2功率MOSFET，T |
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| STP28NM50N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh |
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| STP28NM60ND | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V, 0.120 Ohm typ., 24 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in TO-2 |
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| STP2CMP | STMICROELECTRONICS |
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Low voltage 2-channel constant current LED driver with charge pump |
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| STP2CMPQTR | STMICROELECTRONICS |
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Low voltage 2-channel constant current LED driver with charge pump |
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| STP2HNC60 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 600V - 4ohm - 2.2A TO-220/TO-220FP |
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| STP2HNC60FP | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V - 4ohm - 2.2A TO-220/TO-220FP |
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| STP2N105K5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道1050 V、6 Ohm典型值、1.5 A MDmesh K5功率MOSFET，TO |
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| STP2N60 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP2N60FI | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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