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STP24N60DM2

更新时间： 2024-11-24 14:57:39

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
页数	文件大小	规格书
21页	1195K
描述
N沟道600 V、0.175 Ohm典型值、18 A MDmesh DM2功率MOSFET，TO-220封装

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STP24N60DM2 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	17 weeks
风险等级：	1.71	雪崩能效等级（Eas）：	180 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (ID)：	18 A
最大漏源导通电阻：	0.2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	72 A
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STP24N60DM2 数据手册

STB24N60DM2, STP24N60DM2,

STW24N60DM2

N-channel 600 V, 0.175 Ω typ., 18 A FDmesh II Plus™ low Q_g

Power MOSFETs in D²PAK, TO-220 and TO-247 packages

Datasheet

−

production data

Features

TAB

V_DS

T_Jmax

R_DS(on)

max

Order codes

I_D

D²PAK

STB24N60DM2

STP24N60DM2

STW24N60DM2

650 V

0.20 Ω

18 A

TO-220

• Extremely low gate charge and input

capacitance

• Lower R_DS(on)x area vs previous generation

• Low gate input resistance

• 100% avalanche tested

TO-247

Figure 1. Internal schematic diagram

• Zener-protected

• Extremely high dv/dt and avalanche

D(2, TAB)

capabilities

Applications

• Switching applications

G(1)

Description

These FDmesh II Plus™ low Q_gPower MOSFETs

with intrinsic fast-recovery body diode are

produced using a new generation of MDmesh™

technology: MDmesh II Plus™ low Q_g. These

revolutionary Power MOSFETs associate a

vertical structure to the company's strip layout to

yield one of the world's lowest on-resistance and

gate charge. They are therefore suitable for the

most demanding high efficiency converters and

ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift

converters.

S(3)

AM01476v1

Table 1. Device summary

Order codes

Marking

Package

Packaging

STB24N60DM2

STP24N60DM2

STW24N60DM2

D²PAK

TO-220

TO-247

Tape and reel

24N60DM2

Tube

March 2014

DocID025499 Rev 3

1/21

This is information on a product in full production.

www.st.com

12 3 4 5 6 7...21

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STP24N60DM2 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STP21NM60ND	STMICROELECTRONICS	类似代替	N-channel 600 V, 0.17 ヘ, 17 A FDmesh⑩ II Powe

与STP24N60DM2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STP24N60M2	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 600 V, 0.168 Î© typ., 18 A MDmesh I
STP24N60M6	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道600 V、162 mOhm典型值、17 A MDmesh M6功率MOSFET，T
STP24NF10	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL 100V - 0.07ohm - 24A TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET
STP24NM60N	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 600 V, 0.168 Î©, 17 A MDmeshâ¢ II
STP24NM65N	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 650 V - 0.16 Ω - 19 A - TO-220 - TO
STP25N05	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 50V V(BR)DSS \| 25A I(D) \| TO-220
STP25N05FI	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 50V V(BR)DSS \| 16A I(D) \| TO-220VAR
STP25N06	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP25N06	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220
STP25N06FI	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

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