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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 23页 | 1692K |  |
| 描述 | ||
| N沟道800 V、0.19 Ohm典型值、19.5 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-220封装 | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | TO-220, 3 PIN | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 2.26 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 200 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 800 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 19.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 19.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.26 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 78 A | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP25NM50N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 500V 0.11ohm - 22 A TO-220/FP/D/IPAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET |
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| STP25NM60N | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET |
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| STP25NM60N_07 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600V - 0.140ヘ - 20A - TO-220 /FP- I |
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| STP25NM60ND | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V - 0.13 Ω - 21 A FDmesh™ II Po |
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| STP260N6F6 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 60 V, 0.0024 Ω, 120 A STripFET⢠|
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| STP26N60DM6 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、165 mOhm典型值、18 A MDmesh DM6功率MOSFET， |
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| STP26N60M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.14 Ohm典型值、20 A MDmesh M2功率MOSFET，T |
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| STP26N65DM2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道650 V、0.156 Ohm典型值、20 A MDmesh DM2功率MOSFET |
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| STP26NM60N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V, 0.135 Ω typ., 20 A MDmeshâ |
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| STP26NM60ND | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V, 0.145 Ohm typ., 21 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in TO-2 |
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