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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | ![]() |
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页数 | 文件大小 | 规格书 |
13页 | 264K | ![]() |
描述 | ||
N沟道650 V、0.156 Ohm典型值、20 A MDmesh DM2功率MOSFET,TO-220封装 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STP26NM60N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V, 0.135 Ω typ., 20 A MDmeshâ |
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STP26NM60ND | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V, 0.145 Ohm typ., 21 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in TO-2 |
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STP270N04 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 40V - 2.1m-ohm - 160A - TO-220 - D-2PAK - I-2PAK STripFET-TM Power MOSFET |
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STP270N4F3 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 40V - 2.1m ohm - 160A - TO-220 - D2PAK - I2PAK STripFE TM Power MOSFET |
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STP270N8F7 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道80 V、2.1 mOhm典型值、180 A STripFET F7功率MOSFET |
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STP27N3LH5 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 30 V, 0.014 Ohm, 27 A, TO-220 STripFET (TM) V Power MOSFET |
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STP28N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.13 Ohm典型值、21 A MDmesh DM2功率MOSFET, |
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STP28N60M2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.135 Ohm典型值、22 A MDmesh M2功率MOSFET, |
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STP28N65M2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道650 V、0.15 Ohm典型值、20 A MDmesh M2功率MOSFET,T |
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STP28NM50N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh |
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