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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 19页 | 996K |  |
| 描述 | ||
| N-channel 600 V, 0.168 Ω, 17 A MDmesh⢠II Power MOSFET | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 16 weeks |
| 风险等级： | 2.26 | 雪崩能效等级（Eas）： | 300 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 17 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 17 A | 最大漏源导通电阻： | 0.19 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 68 A | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STI24NM60N | STMICROELECTRONICS |
完全替代  |
N-channel 600 V, 0.168 Ω, 17 A MDmesh⢠II |
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| STP24N60M2 | STMICROELECTRONICS |
类似代替 |
N-channel 600 V, 0.168 Ω typ., 18 A MDmesh I |
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| STP21NM60ND | STMICROELECTRONICS |
类似代替 |
N-channel 600 V, 0.17 ヘ, 17 A FDmesh⑩ II Powe |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP24NM65N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 650 V - 0.16 Ω - 19 A - TO-220 - TO |
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| STP25N05 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-220 |
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| STP25N05FI | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-220VAR |
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| STP25N06 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP25N06 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
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| STP25N06FI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP25N60M2-EP | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.175 Ohm典型值、18 A MDmesh M2 EP功率MOSF |
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| STP25N80K5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道800 V、0.19 Ohm典型值、19.5 A MDmesh K5功率MOSFET |
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| STP25NM50N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 500V 0.11ohm - 22 A TO-220/FP/D/IPAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET |
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| STP25NM60N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET |
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