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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.32 | 雪崩能效等级（Eas）： | 100 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 16 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 16 A | 最大漏源导通电阻： | 0.065 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 200 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 35 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 100 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大开启时间（吨）： | 175 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP25N60M2-EP | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.175 Ohm典型值、18 A MDmesh M2 EP功率MOSF |
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| STP25N80K5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道800 V、0.19 Ohm典型值、19.5 A MDmesh K5功率MOSFET |
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| STP25NM50N | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 500V 0.11ohm - 22 A TO-220/FP/D/IPAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET |
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| STP25NM60N | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET |
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| STP25NM60N_07 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600V - 0.140ヘ - 20A - TO-220 /FP- I |
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| STP25NM60ND | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V - 0.13 Ω - 21 A FDmesh™ II Po |
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| STP260N6F6 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 60 V, 0.0024 Ω, 120 A STripFET⢠|
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| STP26N60DM6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、165 mOhm典型值、18 A MDmesh DM6功率MOSFET， |
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| STP26N60M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.14 Ohm典型值、20 A MDmesh M2功率MOSFET，T |
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| STP26N65DM2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道650 V、0.156 Ohm典型值、20 A MDmesh DM2功率MOSFET |
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