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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 14页 | 756K |  |
| 描述 | ||
| N-channel 60 V, 0.0024 Ω, 120 A STripFET⢠VI DeepGATE⢠Power MOSFET in TO-220 and I²PAK packages | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.69 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 120 A | 最大漏极电流 (ID)： | 120 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.003 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 480 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPP023NE7N3 G | INFINEON |
功能相似  |
75V OptiMOS?技术专注于同步整流应用。基于领先的80V技术，这些75V产品同时具 |
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| FDP025N06 | FAIRCHILD |
功能相似 |
N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 60V, 265A, 2.5m |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP26N60DM6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、165 mOhm典型值、18 A MDmesh DM6功率MOSFET， |
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| STP26N60M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.14 Ohm典型值、20 A MDmesh M2功率MOSFET，T |
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| STP26N65DM2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道650 V、0.156 Ohm典型值、20 A MDmesh DM2功率MOSFET |
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| STP26NM60N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V, 0.135 Ω typ., 20 A MDmeshâ |
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| STP26NM60ND | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V, 0.145 Ohm typ., 21 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in TO-2 |
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| STP270N04 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 40V - 2.1m-ohm - 160A - TO-220 - D-2PAK - I-2PAK STripFET-TM Power MOSFET |
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| STP270N4F3 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 40V - 2.1m ohm - 160A - TO-220 - D2PAK - I2PAK STripFE TM Power MOSFET |
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| STP270N8F7 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道80 V、2.1 mOhm典型值、180 A STripFET F7功率MOSFET |
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| STP27N3LH5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 30 V, 0.014 Ohm, 27 A, TO-220 STripFET (TM) V Power MOSFET |
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| STP28N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.13 Ohm典型值、21 A MDmesh DM2功率MOSFET， |
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