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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 7.98 |
| Samacsys Confidence： | 3 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 222403 | Samacsys Pin Count： | 3 |
| Samacsys Part Category： | Transistor | Samacsys Package Category： | Transistor Outline, Vertical |
| Samacsys Footprint Name： | TO-220 TYPE A | Samacsys Released Date： | 2015-07-28 07:29:03 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 850 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 21 A | 最大漏极电流 (ID)： | 21 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.16 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 160 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 84 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STP28N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
类似代替  |
N沟道600 V、0.13 Ohm典型值、21 A MDmesh DM2功率MOSFET， |
|
| IPW60R165CP | INFINEON |
功能相似 |
CoolMOS Power Transistor |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP260N6F6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 60 V, 0.0024 Ω, 120 A STripFET⢠|
|
| STP26N60DM6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、165 mOhm典型值、18 A MDmesh DM6功率MOSFET， |
|
| STP26N60M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.14 Ohm典型值、20 A MDmesh M2功率MOSFET，T |
|
| STP26N65DM2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道650 V、0.156 Ohm典型值、20 A MDmesh DM2功率MOSFET |
|
| STP26NM60N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V, 0.135 Ω typ., 20 A MDmeshâ |
|
| STP26NM60ND | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V, 0.145 Ohm typ., 21 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in TO-2 |
|
| STP270N04 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 40V - 2.1m-ohm - 160A - TO-220 - D-2PAK - I-2PAK STripFET-TM Power MOSFET |
|
| STP270N4F3 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 40V - 2.1m ohm - 160A - TO-220 - D2PAK - I2PAK STripFE TM Power MOSFET |
|
| STP270N8F7 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道80 V、2.1 mOhm典型值、180 A STripFET F7功率MOSFET |
|
| STP27N3LH5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 30 V, 0.014 Ohm, 27 A, TO-220 STripFET (TM) V Power MOSFET |
|
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