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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 19页 | 553K |  |
| 描述 | ||
| N-channel 650 V - 0.16 Ω - 19 A - TO-220 - TO-220FP - D2PAK I2PAK - TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFET | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.81 | 雪崩能效等级（Eas）： | 500 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 650 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 19 A | 最大漏极电流 (ID)： | 19 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.19 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 160 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 76 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STW20NM65N | STMICROELECTRONICS |
类似代替  |
19A, 650V, 0.19ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
|
| STW28N65M2 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N沟道650 V、0.15 Ohm典型值、20 A MDmesh M2功率MOSFET，T |
|
| STW23NM60ND | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 600 V - 0.150 Ω - 20 A - D2/I2PAK - |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP25N05 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-220 |
|
| STP25N05FI | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-220VAR |
|
| STP25N06 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
|
| STP25N06 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
|
| STP25N06FI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
|
| STP25N60M2-EP | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.175 Ohm典型值、18 A MDmesh M2 EP功率MOSF |
|
| STP25N80K5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道800 V、0.19 Ohm典型值、19.5 A MDmesh K5功率MOSFET |
|
| STP25NM50N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 500V 0.11ohm - 22 A TO-220/FP/D/IPAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET |
|
| STP25NM60N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET |
|
| STP25NM60N_07 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600V - 0.140ヘ - 20A - TO-220 /FP- I |
|
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