5秒后页面跳转
| 品牌 | Logo | 应用领域 |
| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
/ |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 19页 | 996K |  |
| 描述 | ||
| N-channel 600 V, 0.168 Ω, 17 A MDmesh⢠II Power MOSFET | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 零件包装代码： | TO-262AA | 包装说明： | ROHS COMPLIANT, TO-262, I2PAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 43 weeks 2 days |
| 风险等级： | 5.7 | 雪崩能效等级（Eas）： | 300 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (ID)： | 17 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.19 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-262AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 68 A | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STP24NM60N | STMICROELECTRONICS |
完全替代  |
N-channel 600 V, 0.168 Ω, 17 A MDmesh⢠II |
|
| STP24N60M2 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 600 V, 0.168 Ω typ., 18 A MDmesh I |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STI24NM65N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 650 V - 0.16 Ω - 19 A - TO-220 - TO |
|
| STI2506 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-66 |
|
| STI25NM60ND | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V, 0.13 Ω, 21 A FDmesh™ II Powe |
|
| STI260N6F6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 60 V, 0.0024 Ω, 120 A STripFET⢠|
|
| STI26NM60N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V, 0.135 ohm typ., 20 A MDmesh II Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220, TO-2 |
|
| STI270N4F3 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 40V - 2.1m ohm - 160A - TO-220 - D2PAK - I2PAK STripFE TM Power MOSFET |
|
| STI28N60M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.135 Ohm典型值、22 A MDmesh M2功率MOSFET， |
|
| STI30 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5 |
|
| STI3003D | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 300V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3 |
|
| STI3006 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-66 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
