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STI270N4F3

更新时间: 2024-11-23 03:30:51
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
15页 451K
描述
N-channel 40V - 2.1m ohm - 160A - TO-220 - D2PAK - I2PAK STripFE TM Power MOSFET

STI270N4F3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
零件包装代码:TO-262AA包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
针数:4Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:12 weeks
风险等级:2.27雪崩能效等级(Eas):1000 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:40 V最大漏极电流 (Abs) (ID):120 A
最大漏极电流 (ID):120 A最大漏源导通电阻:0.0026 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-262AA
JESD-30 代码:R-PSIP-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):330 W最大脉冲漏极电流 (IDM):480 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

STI270N4F3 数据手册

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STB270N4F3  
STI270N4F3 - STP270N4F3  
N-channel 40V - 2.1m- 160A - TO-220 - D2PAK - I2PAK  
STripFET™ Power MOSFET  
General features  
Type  
VDSS RDS(on)  
ID  
PTOT  
STB270N4F3  
STI270N4F3  
STP270N4F3  
40V  
40V  
40V  
<2.9m120A  
<2.5m160A  
<2.9m120A  
330W  
330W  
330W  
3
2
3
1
2
1
PAK  
TO-220  
100% avalanche tested  
Standard threshold drive  
3
1
Description  
PAK  
This N-Channel enhancement mode MOSFET is  
the latest refinement of STMicroelectronics  
unique “Single Feature Size™“strip-based  
process with less critical alignment steps and  
therefore a remarkable manufacturing  
reproducibility. The resulting transistor shows  
extremely high packing density for low on-  
resistance, rugged avalanche characteristics and  
low gate charge.  
Internal schematic diagram  
Applications  
High current, switching application  
– Automotive  
Order codes  
Part number  
Marking  
Package  
Packaging  
STB270N4F3  
STI270N4F3  
STP270N4F3  
270N4F3  
270N4F3  
270N4F3  
PAK  
PAK  
Tape & reel  
Tube  
TO-220  
Tube  
February 2007  
Rev1  
1/15  
www.st.com  
15  

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