是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | TO-262AA | 包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 12 weeks |
风险等级: | 2.27 | 雪崩能效等级(Eas): | 1000 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 40 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 120 A |
最大漏极电流 (ID): | 120 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0026 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-262AA |
JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 330 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 480 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
BUK9E2R3-40E,127 | NXP |
功能相似 |
N-channel TrenchMOS logic level FET TO-262 3-Pin | |
STB270N04 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-CHANNEL 40V - 2.1m-ohm - 160A - TO-220 - D-2PAK - I-2PAK STripFET-TM Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STI28N60M2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.135 Ohm典型值、22 A MDmesh M2功率MOSFET, | |
STI30 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5 | |
STI3003D | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 300V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3 | |
STI3006 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-66 | |
STI3007 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-66 | |
STI305 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-37VAR | |
STI30N65M5 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 650 V, 0.125 Ω, 22 A, MDmesh⢠V | |
STI30NM60N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V, 0.1 Ω, 25 A, MDmesh? II Powe | |
STI30NM60ND | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600V - 0.11ヘ - 25A TO-220/FP/D2PAK/ | |
STI3220 | STMICROELECTRONICS |
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MOTION ESTIMATION PROCESSOR |