STI24NM65N

更新时间： 2024-09-18 06:14:39

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
19页	553K
描述
N-channel 650 V - 0.16 Ω - 19 A - TO-220 - TO-220FP - D2PAK I2PAK - TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFET

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STI24NM65N 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-262AA
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.82	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	500 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	650 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	19 A
最大漏极电流 (ID)：	19 A	最大漏源导通电阻：	0.19 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-262AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	160 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	76 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STI24NM65N 数据手册

STW24NM65N-STI24NM65N-STF24NM65N

STB24NM65N - STP24NM65N

N-channel 650 V - 0.16 Ω - 19 A - TO-220 - TO-220FP - D²PAK

I²PAK - TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFET

Features

V_DSS

(@T_Jmax)

Type

R_DS(on)max

I_D

STB24NM65N

STI24NM65N

STF24NM65N

STP24NM65N

STW24NM65N

710 V

< 0.19 Ω

19 A

19 A⁽¹⁾

I²PAK

TO-220

19 A

D²PAK

19 A

1. Limited only by maximum temperature allowed

TO-220FP

■ 100% avalanche tested

TO-247

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance

Figure 1.

Internal schematic diagram

Application

■ Switching applications

Description

This series of devices is designed using the

second generation of MDmesh™ technology. This

revolutionary Power MOSFET associates a new

vertical structure to the company’s strip layout to

yield one of the world’s lowest on-resistance and

gate charge. It is therefore suitable for the most

demanding high efficiency converters.

Table 1.

Device summary

Order codes

Marking

Package

Packaging

STB24NM65N

STI24NM65N

STF24NM65N

STP24NM65N

STW24NM65N

24NM65N

D²PAK

I²PAK

Tape and reel

Tube

TO-220FP

TO-220

TO-247

Tube

February 2008

Rev 1

1/19

www.st.com

12 3 4 5 6 7...19

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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STI25NM60ND	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 600 V, 0.13 Ω, 21 A FDmesh™ II Powe
STI260N6F6	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 60 V, 0.0024 Î©, 120 A STripFETâ¢
STI26NM60N	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 600 V, 0.135 ohm typ., 20 A MDmesh II Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220, TO-2
STI270N4F3	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 40V - 2.1m ohm - 160A - TO-220 - D2PAK - I2PAK STripFE TM Power MOSFET
STI28N60M2	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道600 V、0.135 Ohm典型值、22 A MDmesh M2功率MOSFET，
STI30	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 300V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-5
STI3003D	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 300V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-3
STI3006	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 300V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-66
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