STI25NM60ND

更新时间： 2024-09-18 06:14:39

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
18页	597K
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N-channel 600 V, 0.13 Ω, 21 A FDmesh™ II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247

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STI25NM60ND 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-262AA
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.76
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	850 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	21 A	最大漏极电流 (ID)：	21 A
最大漏源导通电阻：	0.16 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-262AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	160 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	84 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

STI25NM60ND 数据手册

STx25NM60ND

N-channel 600 V, 0.13 Ω, 21 A FDmesh™ II Power MOSFET

D²PAK, I²PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247

Features

V_DSS

T_JMAX

Type

R_DS(on)max

I_D

STB25NM60ND

STI25NM60ND

STF25NM60ND

STP25NM60ND

STW25NM60ND

21 A

D²PAK

TO-220

TO-220FP

650 V

0.16 Ω

21 A⁽¹⁾

21 A

1. Limited only by maximum temperature allowed

■ The worldwide best R

*area amongst the

I²PAK

TO-247

DS(on)

fast recovery diode devices

■ 100% avalanche tested

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance

Figure 1.

Internal schematic diagram

■ Extremely high dv/dt and avalanche

capabilities

Application

■ Switching applications

Description

The FDmesh™ II series belongs to the second

generation of MDmesh™ technology. This

revolutionary Power MOSFET associates a new

vertical structure to the company's strip layout

and associates all advantages of reduced on-

resistance and fast switching with an intrinsic fast-

recovery body diode.It is therefore strongly

recommended for bridge topologies, in ZVS

phase-shift converters.

Table 1.

Device summary

Order codes

Marking

Package

Packaging

STB25NM60ND

STI25NM60ND

STF25NM60ND

STP25NM60ND

STW25NM60ND

25NM60ND

D²PAK

I²PAK

Tape and reel

Tube

TO-220FP

TO-220

TO-247

Tube

March 2009

Rev 4

1/18

www.st.com

12 3 4 5 6 7...18

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STI25NM60ND 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STB25NM60N-1	STMICROELECTRONICS	类似代替	N-CHANNEL 600V 0.140-20A TO-220/FP/DAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
IPI60R165CP	INFINEON	功能相似	CoolMOS Power Transistor
STP25NM60ND	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 600 V - 0.13 Ω - 21 A FDmesh™ II Po

与STI25NM60ND相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STI260N6F6	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 60 V, 0.0024 Î©, 120 A STripFETâ¢
STI26NM60N	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 600 V, 0.135 ohm typ., 20 A MDmesh II Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220, TO-2
STI270N4F3	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 40V - 2.1m ohm - 160A - TO-220 - D2PAK - I2PAK STripFE TM Power MOSFET
STI28N60M2	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道600 V、0.135 Ohm典型值、22 A MDmesh M2功率MOSFET，
STI30	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 300V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-5
STI3003D	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 300V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-3
STI3006	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 300V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-66
STI3007	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 300V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-66
STI305	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 300V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-37VAR
STI30N65M5	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 650 V, 0.125 Î©, 22 A, MDmeshâ¢ V

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