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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 10页 | 451K |  |
| 描述 | ||
| N-CHANNEL 250V - 0.13ohm - 22A TO-220/D2PAK Zener-Protected MESH OVERLAY⑩ MOSFET | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.8 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 350 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 250 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 22 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 22 A | 最大漏源导通电阻： | 0.15 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 135 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 88 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP2301 | ETC |
获取价格 |
P沟道MOS管2.8A20V |
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| STP2301_V1 | ETC |
获取价格 |
P Channel Enhancement Mode MOSFET |
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| STP23N80K5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道800 V、0.23 Ohm典型值、16 A MDmesh K5功率MOSFET，T |
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| STP23NM50N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 500 V, 0.162 Ω, 17 A TO-220, TO-22 |
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| STP23NM60N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2 |
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| STP23NM60ND | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V - 0.150 Ω - 20 A - D2/I2PAK - |
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| STP240N10F7 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道100 V、2.85 mOhm典型值、110 A STripFET F7功率MOSF |
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| STP24DP05 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
24-bit constant current LED sink driver with output error detection |
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| STP24DP05BTR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
24-bit constant current LED sink driver with output error detection |
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| STP24N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.175 Ohm典型值、18 A MDmesh DM2功率MOSFET |
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