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STP16NE06

更新时间： 2024-11-25 22:20:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 341K
描述
N - CHANNEL 60V - 0.08 ohm - 16A - TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET

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STP16NE06 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.3
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：80 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：16 A最大漏极电流 (ID)：16 A
最大漏源导通电阻：0.1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：60 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：64 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STP16NE06 数据手册

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STP16NE06  
STP16NE06FP  
®
N - CHANNEL 60V - 0.08 Ω - 16A - TO-220/TO-220FP  
STripFET POWER MOSFET  
PRELIMINARY DATA  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STP16NE06  
STP16NE06FP  
60 V  
60 V  
< 0.100 Ω  
< 0.100 Ω  
16 A  
11 A  
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.08 Ω  
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY  
100% AVALANCHE TESTED  
175oC OPERATING TEMPERATURE  
HIGH dV/dt CAPABILITY  
APPLICATION ORIENTED  
CHARACTERIZATION  
3
3
2
2
1
1
DESCRIPTION  
TO-220  
TO-220FP  
This Power Mosfet is the latest development of  
SGS-THOMSON unique "Single Feature Size"  
process whereby a single body is implanted on a  
strip layout structure. The resulting transistor  
shows extremely high packing density for low on-  
resistance, rugged avalance characteristics and  
less critical alignment steps therefore a remark-  
able manufacturing reproducibility.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
DC MOTOR CONTROL  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
SYNCHRONOUS RECTIFICATION  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STP16NE06 STP16NE06FP  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
60  
60  
V
V
± 20  
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
16  
10  
64  
60  
0.4  
11  
7
A
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
A
IDM(•)  
Ptot  
Drain Current (pulsed)  
64  
A
o
Total Dissipation at Tc = 25 C  
30  
W
W/oC  
Derating Factor  
0.2  
2000  
VISO  
dV/dt  
Tstg  
Tj  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
V
6
V/ns  
oC  
oC  
-65 to 175  
175  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
(1) ISD ≤ 16 A, di/dt ≤ 200 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX  
New RDS (on) spec. starting from JULY 98  
’
1/9  
June 1998  
1234567...9

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STP16NE06 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MTP3055E STMICROELECTRONICS

类似代替

 N - CHANNEL 60V - 0.1ohm - 12A TO-220 STripFET MOSFET
MTP3055VL FAIRCHILD

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 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
RFP3055LE FAIRCHILD

功能相似

 11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs

与STP16NE06相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP16NE06FI ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-220
STP16NE06FP STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL 60V - 0.08 ohm - 16A - TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET
STP16NE06L STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE] POWER MOSFET
STP16NE06L/FP STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE] POWER MOSFET
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 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE] POWER MOSFET
STP16NF06 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 60V - 0.08 ohm - 16A TO-220/TO-220F
STP16NF06_07 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 60V - 0.08ヘ - 16A - TO-220/TO-220FP
STP16NF06FP STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 60V - 0.08 ohm - 16A TO-220/TO-220F
STP16NF06L STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 60V - 0.07 ohm - 16A TO-220/TO-220F
STP16NF06LFP STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 60V - 0.07 ohm - 16A TO-220/TO-220F

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