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STP180N55F3 PDF预览

STP180N55F3

更新时间： 2024-09-23 08:59:11
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
14页 441K
描述
N-channel 55V - 3.2mΩ - 120A - D2PAK/TO-220 STripFET? Power MOSFET

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STP180N55F3 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.7Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：1000 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：120 A
最大漏极电流 (ID)：120 A最大漏源导通电阻：0.0038 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：330 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：480 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STP180N55F3 数据手册

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STB180N55F3  
STP180N55F3  
N-channel 55V - 3.2mΩ - 120A - D2PAK/TO-220  
STripFET™ Power MOSFET  
Features  
Type  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
Pw  
STB180N55F3  
STP180N55F3  
55V  
55V  
3.5mΩ 120A(1) 330W  
3.8mΩ 120A(1) 330W  
1. Value limited by wire bonding  
3
3
1
2
1
■ Ultra low on-resistance  
■ 100% avalanche tested  
D2PAK  
TO-220  
Description  
This n-channel enhancement mode Power  
MOSFET is the latest refinement of  
STMicroelectronics unique “single feature size™”  
strip-based process with less critical alignment  
steps and therefore a remarkable manufacturing  
reproducibility. The resulting transistor shows  
extremely high packing density for low on  
resistance, rugged avalanche characteristics and  
low gate charge.  
Internal schematic diagram  
Application  
■ Switching applications  
Order codes  
Part number  
Marking  
Package  
Packaging  
STB180N55F3  
STP180N55F3  
180N55F3  
180N55F3  
D2PAK  
TO-220  
Tape & reel  
Tube  
June 2007  
Rev 2  
1/14  
www.st.com  
14  
1234567...14

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STP180N55F3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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