5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STP185N10F3
STP185N10F3 PDF预览

STP185N10F3

更新时间： 2024-09-23 06:14:51
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
12页 256K
描述
N-channel 100 V, 4.0 mΩ, 120 A, D2PAK, TO-220 STripFET™ Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

STP185N10F3 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.82Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：120 A最大漏极电流 (ID)：120 A
最大漏源导通电阻：0.0048 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：300 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：480 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STP185N10F3 数据手册

 浏览型号STP185N10F3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STP185N10F3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STP185N10F3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STP185N10F3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STP185N10F3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STP185N10F3的Datasheet PDF文件第7页 
STB185N10F3  
STP185N10F3  
N-channel 100 V, 4.0 mΩ, 120 A, D2PAK, TO-220  
STripFET™ Power MOSFET  
Preliminary Data  
Features  
Type  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STB185N10F3  
STP185N10F3  
100 V  
100 V  
4.5 mΩ  
4.8 mΩ  
120 A(1)  
120 A(1)  
1. Value limited by wire bonding  
3
3
1
2
1
■ Ultra low on-resistance  
■ 100% avalanche tested  
D2PAK  
TO-220  
Application  
■ Switching application  
– Automotive  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
Description  
This n-channel enhancement mode Power  
MOSFET is the latest refinement of  
STMicroelectronics unique “single feature size”  
strip-based process with less critical alignment  
steps and therefore a remarkable manufacturing  
reproducibility. The resulting transistor shows  
extremely high packing density for low on  
resistance, rugged avalanche characteristics and  
low gate charge.  
Table 1.  
Device summary  
Order codes  
Marking  
Package  
D2PAK  
TO-220  
Packaging  
STB185N10F3  
STP185N10F3  
185N10F3  
185N10F3  
Tape and reel  
Tube  
August 2008  
Rev 1  
1/12  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to  
change without notice.  
www.st.com  
12  
1234567...12

中文翻译

下载PDF

STP185N10F3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STP180N10F3 STMICROELECTRONICS

类似代替

 N-channel 100 V, 4.0 mΩ, 120 A STripFET? Powe

与STP185N10F3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP185N55 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 55V - 2.9mohm - 120A - D2PAK/TO-220
STP185N55F3 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 55V - 3.2mヘ - 120A - D2PAK/TO-220 S
STP18N10 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-220
STP18N10FI ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-220VAR
STP18N55M5 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 550 V, 0.18 Ω, 13 A, MDmesh™ V P
STP18N60DM2 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N沟道600 V、0.260 Ohm典型值、12 A MDmesh DM2功率MOSFET
STP18N60M2 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N沟道600 V、0.255 Ohm典型值、13 A MDmesh M2功率MOSFET，
STP18N65M2 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N沟道650 V、0.275 Ohm典型值、12 A MDmesh M2功率MOSFET，
STP18N65M5 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N沟道650 V、0.198 Ohm典型值、15 A MDmesh M5功率MOSFET，
STP18NM60N STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 600 V, 13 A, TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK second generation MDmesh™ Pow

与STP185N10F3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证