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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.33 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 80 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 11 A | 最大漏极电流 (ID)： | 11 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.14 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 72 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP18N10FI | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-220VAR |
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| STP18N55M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 550 V, 0.18 Ω, 13 A, MDmesh⢠V P |
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| STP18N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.260 Ohm典型值、12 A MDmesh DM2功率MOSFET |
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| STP18N60M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.255 Ohm典型值、13 A MDmesh M2功率MOSFET， |
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| STP18N65M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道650 V、0.275 Ohm典型值、12 A MDmesh M2功率MOSFET， |
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| STP18N65M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道650 V、0.198 Ohm典型值、15 A MDmesh M5功率MOSFET， |
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| STP18NM60N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V, 13 A, TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK second generation MDmesh™ Pow |
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| STP18NM80 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 800 V, 0.25 Ω, 17 A, MDmes Power M |
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| STP190N55LF3 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道55 V、2.9 mOhm典型值、120 A STripFET(TM) 功率MOSF |
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| STP190NF04 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 40V - 3.9 mW - 120A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET |
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