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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STP19NB20FP
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STP19NB20FP

更新时间： 2024-11-22 22:26:11
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
12页 547K
描述
N-CHANNEL 200V - 0.15ohm - 19A - TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMESH⑩ MOSFET

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STP19NB20FP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220FP, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.14
雪崩能效等级（Eas）：580 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：19 A最大漏极电流 (ID)：10 A
最大漏源导通电阻：0.18 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：125 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：76 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STP19NB20FP 数据手册

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STP19NB20 - STP19NB20FP  
STB19NB20-1  
N-CHANNEL 200V - 0.15Ω - 19A - TO-220/TO-220FP/I2PAK  
PowerMESH™ MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STP19NB20  
STP19NB20FP  
STB19NB20-1  
200 V  
200 V  
200 V  
< 0.18 Ω  
< 0.18 Ω  
< 0.18 Ω  
19 A  
10 A  
19 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.15 Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
NEW HIGH VOLTAGE BENCHMARK  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
2
1
TO-220  
TO-220FP  
3
2
1
2
DESCRIPTION  
I PAK  
Using the latest high voltage MESH OVERLAY™  
process, STMicroelectronics has designed an ad-  
vanced family of power MOSFETs with outstanding  
performances. The new patent pending strip layout  
coupled with the Company’s proprieraty edge termi-  
nation structure, gives the lowest RDS(on) per area,  
exceptional avalanche and dv/dt capabilities and  
unrivalled gate charge and switching characteris-  
tics.  
(Tabless TO-220)  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR TELECOM,  
INDUSTRIAL AND CONSUMER  
ENVIRONMENT  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STP(B)19NB20(-1) STP19NB20FP  
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
200  
200  
± 30  
V
V
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
V
I
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
19  
12  
76  
125  
1
10  
6.0  
76  
A
D
C
I
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
A
D
C
I
( )  
Drain Current (pulsed)  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
35  
W
TOT  
C
Derating Factor  
0.28  
W/°C  
V/ns  
V
dv/dt (1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
5.5  
V
-
2500  
ISO  
T
stg  
–65 to 150  
150  
°C  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(1)I ≤19 A, di/dt ≤300A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
j JMAX  
SD  
DD  
(BR)DSS  
(•)Pulse width limited by safe operating area  
August 2002  
1/12  
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STP19NB20FP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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STP1N120 STMICROELECTRONICS

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 		channel 1200V - 30ヘ - 500mA - TO-220 Zener -
STP2000QFP ETC

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 		I/O Controller
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 		I/O Controller
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 		I/O Controller
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 		Peripheral IC
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 		Power Field-Effect Transistor

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