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STP200N6F3

更新时间: 2024-11-23 14:36:27
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
16页 841K
描述
120A, 60V, 0.0038ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN

STP200N6F3 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-220AB
包装说明:ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.82Is Samacsys:N
其他特性:ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级(Eas):918 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):120 A最大漏极电流 (ID):120 A
最大漏源导通电阻:0.0038 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):330 W最大脉冲漏极电流 (IDM):480 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

STP200N6F3 数据手册

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STB200N6F3, STI200N6F3  
STP200N6F3  
N-channel 60 V, 3 m, 120 A D2PAK, TO-220, I2PAK  
STripFET™ Power MOSFET  
Features  
Type  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
Pw  
STB200N6F3 60 V < 3.5 m120 A(1) 330 W  
STI200N6F3 60 V < 3.8 m120 A(1) 330 W  
STP200N6F3 60 V < 3.8 m120 A(1) 330 W  
3
3
3
2
2
1
1
1
1. Value limited by wire bonding  
D2PAK  
I2PAK  
TO-220  
Ultra low on-resistance  
100% avalanche tested  
Application  
Switching applications  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
Description  
This STripFET™ III Power MOSFET technology  
is among the latest improvements, which have  
been especially tailored to minimize on-state  
resistance providing superior switching  
performance.  
$ꢅꢆꢇ  
'ꢅꢁꢇ  
3ꢅꢈꢇ  
!-ꢀꢁꢂꢃꢄVꢁ  
Table 1.  
Device summary  
Order codes  
Marking  
Package  
Packaging  
STB200N6F3  
STI200N6F3  
STP200N6F3  
200N6F3  
200N6F3  
200N6F3  
D2PAK  
I2PAK  
Tape and reel  
Tube  
TO-220  
Tube  
November 2009  
Doc ID 15606 Rev 2  
1/16  
www.st.com  
16  

STP200N6F3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STP18NM80 STMICROELECTRONICS

类似代替

N-channel 800 V, 0.25 Ω, 17 A, MDmes Power M
STP26NM60N STMICROELECTRONICS

类似代替

N-channel 600 V, 0.135 Ω typ., 20 A MDmeshâ„
STP18NM60N STMICROELECTRONICS

类似代替

N-channel 600 V, 13 A, TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK second generation MDmesh™ Pow

与STP200N6F3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP200NF03 STMICROELECTRONICS

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N-CHANNEL 30V - 0.0032 ohm - 120A DPAK/IPAK
STP200NF04 STMICROELECTRONICS

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N-CHANNEL 40V - 120 A - 3.3 mOHM TO-220/D2PAK/I2PAK STripFETII MOSFET
STP200NF04L STMICROELECTRONICS

获取价格

N-CHANNEL 40V - 3 m ohm - 120 A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET II MOSFET
STP2011PGA50 ETC

获取价格

BUS CONTROLLER
STP2012PQFP ETC

获取价格

DMA Controller
STP2013PGA-50 ETC

获取价格

MEMORY CONTROLLER
STP2014PQFP ETC

获取价格

BUS CONTROLLER
STP2016QFP ETC

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CPU System Clock Generator
STP2018TAB ETC

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BUS CONTROLLER
STP2021PLCC ETC

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Power Control/Management