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STP20N20

更新时间: 2024-01-23 21:11:31
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
13页 406K
描述
N-CHANNEL 200V - 0.10 OHM - 18A TO-220/TO-220FP/DPAK LOW GATE CHARGE STripFET II MOSFET

STP20N20 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-220AB
包装说明:TO-220, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.73Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):110 mJ配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:200 V最大漏极电流 (Abs) (ID):18 A
最大漏极电流 (ID):18 A最大漏源导通电阻:0.125 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):90 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):72 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

STP20N20 数据手册

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STP20N20  
STF20N20 - STD20N20  
N-CHANNEL 200V - 0.10- 18A TO-220/TO-220FP/DPAK  
LOW GATE CHARGE STripFET™ II MOSFET  
Table 1: General Features  
Figure 1: Package  
TYPE  
V
R
I
d
P
TOT  
DSS  
DS(on)  
STD20N20  
STF20N20  
STP20N20  
200 V  
200 V  
200 V  
< 0.125 Ω  
< 0.125 Ω  
< 0.125 Ω  
18 A  
18 A  
18 A  
90 W  
25 W  
90 W  
TYPICAL R (on) = 0.10 Ω  
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
LOW GATE CHARGE  
DS  
3
3
2
2
1
1
TO-220FP  
TO-220  
100% AVALANCHE TESTED  
DESCRIPTION  
3
This MOSFET series realized with STMicroelec-  
tronics unique STripFET process has specifically  
been designed to minimize input capacitance and  
gate charge. It is therefore suitable as primary  
switch in advanced high-efficiency isolated DC-DC  
converters.  
1
DPAK  
Figure 2: Internal Schematic Diagram  
APPLICATIONS  
HIGH CURRENT SWITCHING  
APPLICATIONS  
HIGH EFFICIENCY DC-DC CONVERTERS  
PRIMARY SIDE SWITCH  
Table 2: Order Codes  
SALES TYPE  
STD20N20T4  
STF20N20  
MARKING  
D20N20  
F20N20  
P20N20  
PACKAGE  
DPAK  
PACKAGING  
TAPE & REEL  
TUBE  
TO-220FP  
TO-220  
STP20N20  
TUBE  
Rev. 3  
January 2005  
1/13  

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