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STP20NE06

更新时间： 2024-11-25 22:07:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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9页 107K
描述
N - CHANNEL 60V - 0.06 ohm - 20A TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET

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STP20NE06 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.17
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：100 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A最大漏极电流 (ID)：20 A
最大漏源导通电阻：0.08 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：70 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STP20NE06 数据手册

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STP20NE06  
STP20NE06FP  
N - CHANNEL 60V - 0.06 Ω - 20A TO-220/TO-220FP  
STripFET POWER MOSFET  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STP20NE06  
STP20NE06FP  
60 V  
60 V  
< 0.080 Ω  
< 0.080 Ω  
20 A  
13 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.06 Ω  
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
LOW GATE CHARGE 100 oC  
APPLICATIONORIENTED  
CHARACTERIZATION  
3
3
2
2
1
1
DESCRIPTION  
This Power Mosfet is the latest development of  
STMicroelectronics unique ” Single Feature  
Size ” strip-based process. The resulting transi-  
stor shows extremely high packing density for low  
on-resistance, rugged avalance characteristics  
and less critical alignment steps therefore a re-  
markable manufacturingreproducibility.  
TO-220  
TO-220FP  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,  
ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
STP20NE06 STP20NE06FP  
Unit  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
60  
60  
V
V
± 20  
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
20  
14  
13  
9
A
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
A
IDM( ) Drain Current (pulsed)  
80  
80  
A
•
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
Derating Factor  
70  
30  
W
W/oC  
0.47  
0.2  
2000  
VISO  
dv/dt  
Tstg  
Tj  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
V
7
V/ns  
oC  
oC  
-65 to 175  
175  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
( ) ISD ≤ 20 A, di/dt ≤ 300 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX  
1
1/9  
June 1999  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP20NE06FP STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL 60V - 0.06 ohm - 20A TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET
STP20NE06L STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL 60V - 0.06 ohm - 20A TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET
STP20NE06LFP STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL 60V - 0.06 ohm - 20A TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET
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 		N - CHANNEL 100V - 0.07ohm - 20A - TO-220 STripFET MOSFET
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 		N-CHANNEL 60V - 0.06ohm - 20A TO-220/TO-220FP STripFET II POWER MOSFET
STP20NF06_07 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 60V - 0.06 - 20A - TO-220/TO-220FP STripFET II Power MOSFET
STP20NF06L STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 60V - 0.06ヘ - 20A - D2PAK/TO-220/TO
STP20NF20 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 200V - 0.10ヘ -18A- DPAK/TO-220/TO-2
STP20NK50Z STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 500V - 0.23ohm - 20A TO-220/TO-247
STP20NK50Z_04 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 500V -0.23ヘ- 17A TO-220/D2PAK/I2SPA

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