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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 14页 | 271K |  |
| 描述 | ||
| N沟道600 V、0.230 Ohm典型值、13 A MDmesh M2 EP功率MOSFET，TO-220封装 | ||
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | Factory Lead Time： | 16 weeks |
| 风险等级： | 5.74 | 雪崩能效等级（Eas）： | 138 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 13 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 13 A | 最大漏源导通电阻： | 0.278 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 110 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 52 A |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP20N65M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 650 V, 0.160 Ω typ., 18 A MDmeshâ |
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| STP20N90K5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道900 V、0.21 Ohm典型值、20 A MDmesh K5功率MOSFET，T |
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| STP20N95K5 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 950 V, 0.275 Ω, 17.5 A SuperMESH 5 |
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| STP20NE06 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 60V - 0.06 ohm - 20A TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET |
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| STP20NE06FP | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 60V - 0.06 ohm - 20A TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET |
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| STP20NE06L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 60V - 0.06 ohm - 20A TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET |
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| STP20NE06LFP | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 60V - 0.06 ohm - 20A TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET |
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| STP20NE10 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 100V - 0.07ohm - 20A - TO-220 STripFET MOSFET |
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| STP20NF06 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 60V - 0.06ohm - 20A TO-220/TO-220FP STripFET II POWER MOSFET |
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| STP20NF06_07 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 60V - 0.06 - 20A - TO-220/TO-220FP STripFET II Power MOSFET |
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