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STP21N90K5 PDF预览

STP21N90K5

更新时间： 2024-09-27 12:05:55
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
22页 998K
描述
N-channel 900 V, 0.25 Ω typ., 18.5 A Zener-protected SuperMESH™ 5 Power MOSFET in a D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packages

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STP21N90K5 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AB包装说明：ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：17 weeks
风险等级：2.25Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：170 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：900 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：17 A
最大漏极电流 (ID)：17 A最大漏源导通电阻：0.299 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：210 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：68 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STP21N90K5 数据手册

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STB21N90K5, STF21N90K5, STP21N90K5,  
STW21N90K5  
N-channel 900 V, 0.25 Ω typ., 18.5 A Zener-protected SuperMESH™ 5  
Power MOSFET in a D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packages  
Datasheet — production data  
Features  
TAB  
Order codes VDSS RDS(on)max  
ID  
PW  
3
3
1
2
STB21N90K5  
STF21N90K5  
250 W  
40 W  
1
2
D PAK  
TO-220FP  
900 V < 0.299 Ω 18.5 A  
TAB  
STP21N90K5  
STW21N90K5  
250 W  
■ TO-220 worldwide best RDS(on)  
■ Worldwide best FOM (figure of merit)  
■ Ultra low gate charge  
3
2
3
1
2
1
TO-220  
TO-247  
■ 100% avalanche tested  
■ Zener-protected  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
D(2, TAB)  
Applications  
■ Switching applications  
Description  
G(1)  
These devices are N-channel Power MOSFETs  
developed using SuperMESH™ 5 technology.  
This revolutionary, avalanche-rugged, high  
voltage Power MOSFET technology is based on  
an innovative proprietary vertical structure. The  
result is a drastic reduction in on-resistance and  
ultra low gate charge for applications which  
require superior power density and high  
efficiency.  
S(3)  
AM01476v1  
Table 1.  
Device summary  
Order codes  
Marking  
Package  
Packaging  
STB21N90K5  
STF21N90K5  
STP21N90K5  
STW21N90K5  
D2PAK  
TO-220FP  
TO-220  
Tape and reel  
21N90K5  
Tube  
TO-247  
October 2012  
Doc ID 16744 Rev 6  
1/22  
This is information on a product in full production.  
www.st.com  
22  
1234567...22

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与STP21N90K5相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP21NM50N STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 500V - 0.15ohm - 18A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
STP21NM50N_07 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 500V - 0.15ヘ - 18A TO-220/FP/D2/I2P
STP21NM60N STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 600V - 0.19 Ohm - 17 A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFE
STP21NM60N_08 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 600 V - 0.17 Ω - 17 A TO-220 - TO-2
STP21NM60ND STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 600 V, 0.17 ヘ, 17 A FDmesh⑩ II Powe
STP2200ABGA ETC

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STP2200ABGA-100 ETC

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STP2200ABGA-83 ETC

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 		System Controller
STP220N6F7 STMICROELECTRONICS

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 		N沟道60 V、0.0021 mOhm典型值、120 A STripFET F7功率MOS

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