是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-220AB |
包装说明: | TO-220FP, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.67 |
雪崩能效等级(Eas): | 650 mJ | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 600 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 22 A | 最大漏极电流 (ID): | 22 A |
最大漏源导通电阻: | 0.25 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 45 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 80 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STP22NM60N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V, 0.2 Ω, 16 A MDmesh⢠II Po | |
STP22NS25Z | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 250V - 0.13ohm - 22A TO-220/D2PAK Z | |
STP2301 | ETC |
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P沟道MOS管2.8A20V | |
STP2301_V1 | ETC |
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P Channel Enhancement Mode MOSFET | |
STP23N80K5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道800 V、0.23 Ohm典型值、16 A MDmesh K5功率MOSFET,T | |
STP23NM50N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 500 V, 0.162 Ω, 17 A TO-220, TO-22 | |
STP23NM60N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2 | |
STP23NM60ND | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V - 0.150 Ω - 20 A - D2/I2PAK - | |
STP240N10F7 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道100 V、2.85 mOhm典型值、110 A STripFET F7功率MOSF | |
STP24DP05 | STMICROELECTRONICS |
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24-bit constant current LED sink driver with output error detection |