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STP22NM60

更新时间： 2024-11-22 22:28:55
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
11页 387K
描述
N-CHANNEL 600V - 0.19 ohm - 22A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 MDmesh⑩Power MOSFET

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STP22NM60 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.67
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：650 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：22 A最大漏极电流 (ID)：22 A
最大漏源导通电阻：0.25 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：192 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STP22NM60 数据手册

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STP22NM60 - STF22NM60  
STB22NM60 - STB22NM60-1 - STW22NM60  
N-CHANNEL 600V - 0.19 Ω - 22A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247  
MDmesh™Power MOSFET  
ADVANCED DATA  
TYPE  
V
DSS  
R
R
*Q  
I
D
DS(on)  
ds(on)  
g
STP22NM60  
STF22NM60  
STB22NM60  
STB22NM60-1  
STW22NM60  
600 V  
600 V  
600 V  
600 V  
600 V  
< 0.25 Ω 7.6 Ω*nC  
< 0.25 Ω 7.6 Ω*nC  
< 0.25 Ω 7.6 Ω*nC  
< 0.25 Ω 7.6 Ω*nC  
< 0.25 Ω 7.6 Ω*nC  
22 A  
22 A  
22 A  
22 A  
22 A  
3
3
2
2
1
1
TO-220  
TO-220FP  
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.19Ω  
DS  
HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES  
100% AVALANCHE TESTED  
LOW INPUT CAPACITANCE AND GATE CHARGE  
LOW GATE INPUT RESISTANCE  
3
2
1
TO-247  
3
1
3
2
1
I2PAK  
D2PAK  
DESCRIPTION  
This improved version of MDmesh™ which is based  
on Multiple Drain process represents the new bench-  
mark in high voltage MOSFETs. The resulting product  
exhibits even lower on-resistance, impressively high  
dv/dt and excellent avalanche characteristics. The  
adoption of the Company’s proprietary strip technique  
yields overall performances that are significantly better  
than that of similar competition’s products.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
The MDmesh™ family is very suitable for increasing  
power density of high voltage converters allowing sys-  
tem miniaturization and higher efficiencies.  
ORDERING INFORMATION  
SALES TYPE  
STP22NM60  
STF22NM60  
STB22NM60  
STB22NM60-1  
STW22NM60  
MARKING  
P22NM60  
PACKAGE  
TO-220  
TO-220FP  
D²PAK  
PACKAGING  
TUBE  
F22NM60  
TUBE  
B22NM60T4  
B22NM60-1  
W22NM60  
TAPE & REEL  
TUBE  
I²PAK  
TO-247  
TUBE  
June 2003  
1/11  
1234567...11

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与STP22NM60相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP22NM60FP STMICROELECTRONICS

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 		22A, 600V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220FP, 3 PIN
STP22NM60N STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 600 V, 0.2 Ω, 16 A MDmesh™ II Po
STP22NS25Z STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 250V - 0.13ohm - 22A TO-220/D2PAK Z
STP2301 ETC

获取价格

 		P沟道MOS管2.8A20V
STP2301_V1 ETC

获取价格

 		P Channel Enhancement Mode MOSFET
STP23N80K5 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N沟道800 V、0.23 Ohm典型值、16 A MDmesh K5功率MOSFET，T
STP23NM50N STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 500 V, 0.162 Ω, 17 A TO-220, TO-22
STP23NM60N STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2
STP23NM60ND STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 600 V - 0.150 Ω - 20 A - D2/I2PAK -
STP240N10F7 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N沟道100 V、2.85 mOhm典型值、110 A STripFET F7功率MOSF

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