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STP22NF03L PDF预览

STP22NF03L

更新时间： 2024-01-28 20:09:34
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 242K
描述
N-CHANNEL 30V - 0.038ohm - 22A TO-220 STripFET⑩ POWER MOSFET

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STP22NF03L 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.62Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：200 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：22 A
最大漏极电流 (ID)：22 A最大漏源导通电阻：0.06 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：45 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：88 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STP22NF03L 数据手册

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STP22NF03L  
N-CHANNEL 30V - 0.038Ω - 22A TO-220  
STripFET™ POWER MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STP22NF03L  
30V  
<0.05Ω  
22A  
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.038Ω  
DS  
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
LOW GATE CHARGE AT 100°C  
APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION  
3
2
1
TO-220  
DESCRIPTION  
This Power Mosfet is the latest development of STMi-  
croelectronics unique “Single Feature Size™” strip-  
based process. The resulting transistor shows ex-  
tremely high packing density for low on-resistance,  
rugged avalance characteristics and less critical align-  
ment steps therefore a remarkable manufacturing re-  
producibility.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
■
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
30  
30  
V
V
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
±15  
22  
V
GS  
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
16  
A
D
C
I
(●)  
Drain Current (pulsed)  
88  
A
DM  
P
TOT  
Total Dissipation at T = 25°C  
45  
W
C
Derating Factor  
0.3  
W/°C  
V/ns  
mJ  
°C  
°C  
dv/dt (1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Single Pulse Avalanche Energy  
Storage Temperature  
6
E
AS  
(2)  
200  
–65 to 175  
175  
T
stg  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(●) Pulse width limited by safe operating area  
(1) I ≤10A, di/dt ≤300A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
j JMAX.  
SD  
DD  
(BR)DSS  
(2) Starting T =25°C, I =11A, V =15V  
j
D
DD  
Aug 2000  
1/8  
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STP22NF03L 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STP60NF06 STMICROELECTRONICS

类似代替

 N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A TO-220/TO-220F
STP5NK100Z STMICROELECTRONICS

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类似代替

 N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP22NF03L_07 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 30V - 0.0038ヘ - 22A - TO-220 STripF
STP22NF03L_08 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 30 V, 0.0038 Ω, 22 A, TO-220 STripF
STP22NM50 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 500V - 0.16ohm - 20A TO-220/FP/D2PA
STP22NM50FP STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 500V - 0.16ohm - 20A TO-220/FP/D2PA
STP22NM60 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 600V - 0.19 ohm - 22A TO-220/FP/D2P
STP22NM60FP STMICROELECTRONICS

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 		22A, 600V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220FP, 3 PIN
STP22NM60N STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 600 V, 0.2 Ω, 16 A MDmesh™ II Po
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