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STP22NE03L

更新时间： 2024-01-24 12:46:49
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
5页 78K
描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET

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STP22NE03L 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.89
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：22 A最大漏极电流 (ID)：22 A
最大漏源导通电阻：0.06 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：60 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：88 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

STP22NE03L 数据手册

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STP22NE03L  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
" SINGLE FEATURE SIZE " POWER MOSFET  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STP22NE03L  
30 V  
< 0.05 Ω  
22 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.034 Ω  
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
LOW GATE CHARGE 100 oC  
APPLICATION ORIENTED  
CHARACTERIZATION  
3
2
DESCRIPTION  
This Power Mosfet is the latest development of  
SGS-THOMSON unique "Single Feature Size  
1
"
TO-220  
strip-based process. The resulting transistor  
shows extremely high packing density for low on-  
resistance, rugged avalance characteristics and  
less critical alignment steps therefore a remark-  
able manufacturing reproducibility.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,  
ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc. )  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Parameter  
Value  
Unit  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
30  
V
V
30  
± 15  
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
22  
A
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
16  
A
I
DM(•)  
Drain Current (pulsed)  
88  
A
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
60  
W
Derating Factor  
0.4  
6
W/oC  
V/ns  
oC  
oC  
dv/dt  
Tstg  
Tj  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
-65 to 175  
Max. Operating Junction Temperature  
175  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
(1) ISD ≤22 A, di/dt ≤ 300 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX  
1/5  
January 1998  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP22NE10L STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL 100V - 0.07 ohm - 22A TO-220 STripFET POWER MOSFET
STP22NF03L STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 30V - 0.038ohm - 22A TO-220 STripFE
STP22NF03L_07 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 30V - 0.0038ヘ - 22A - TO-220 STripF
STP22NF03L_08 STMICROELECTRONICS

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