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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.29 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级（Eas）： | 80 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 50 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 14 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 14 A | 最大漏源导通电阻： | 0.085 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 35 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 84 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP21N06L | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP21N06LFI | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP21N65M5 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 650 V, 0.150 Ω, 17 A MDmesh⢠V P |
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| STP21N90K5 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 900 V, 0.25 Ω typ., 18.5 A Zener-p |
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| STP21NM50N | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 500V - 0.15ohm - 18A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET |
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| STP21NM50N_07 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 500V - 0.15ヘ - 18A TO-220/FP/D2/I2P |
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| STP21NM60N | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 600V - 0.19 Ohm - 17 A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFE |
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| STP21NM60N_08 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V - 0.17 Ω - 17 A TO-220 - TO-2 |
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| STP21NM60ND | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V, 0.17 ヘ, 17 A FDmesh⑩ II Powe |
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| STP2200ABGA | ETC |
获取价格 |
Uniprocessor System Controller |
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