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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STP20NE06L
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STP20NE06L

更新时间： 2024-11-25 22:42:39
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
9页 106K
描述
N - CHANNEL 60V - 0.06 ohm - 20A TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET

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STP20NE06L  
STP20NE06LFP  
N - CHANNEL 60V - 0.06 Ω - 20A TO-220/TO-220FP  
STripFET POWER MOSFET  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STP20NE06L  
STP20NE06LFP  
60 V  
60 V  
< 0.07 Ω  
< 0.07 Ω  
20 A  
13 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.06 Ω  
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
LOW GATE CHARGE 100 oC  
APPLICATIONORIENTED  
CHARACTERIZATION  
3
3
2
2
1
1
DESCRIPTION  
This Power Mosfet is the latest development of  
STMicroelectronics unique ” Single Feature  
Size ” strip-based process. The resulting transi-  
stor shows extremely high packing density for low  
on-resistance, rugged avalance characteristics  
and less critical alignment steps therefore a re-  
markable manufacturingreproducibility.  
TO-220  
TO-220FP  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
DC MOTOR CONTROL  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
SYNCHRONOUS RECTIFICATION  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
STP20NE06 STP20NE06FP  
Unit  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
60  
60  
V
V
± 20  
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
20  
14  
13  
9
A
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
A
I
DM(• )  
Drain Current (pulsed)  
80  
80  
A
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
70  
30  
W
Derating Factor  
0.47  
0.2  
2000  
W/oC  
VISO  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
V
dv/dt  
Tstg  
Tj  
7
V/ns  
oC  
oC  
-65 to 175  
Max. Operating Junction Temperature  
175  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
( 1) ISD ≤ 20 A, di/dt ≤ 300 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX  
1/9  
April 1999  
1234567...9

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STP20NE06L 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STP20NF06L STMICROELECTRONICS

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