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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | ISOWATT220, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.76 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 80 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 13 A | 最大漏极电流 (ID)： | 13 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.085 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 150 pF | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 30 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 35 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 80 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大开启时间（吨）： | 95 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP20N10 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP20N10FI | ETC |
获取价格 |
OLD PRODUCT: NOT SUITABLE FOR NEW DESIGN-IN |
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| STP20N10L | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP20N10LFI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP20N20 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 200V - 0.10 OHM - 18A TO-220/TO-220FP/DPAK LOW GATE CHARGE STripFET II MOSFET |
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| STP20N60M2-EP | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.230 Ohm典型值、13 A MDmesh M2 EP功率MOSF |
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| STP20N65M5 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 650 V, 0.160 Ω typ., 18 A MDmeshâ |
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| STP20N90K5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道900 V、0.21 Ohm典型值、20 A MDmesh K5功率MOSFET，T |
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| STP20N95K5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 950 V, 0.275 Ω, 17.5 A SuperMESH 5 |
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| STP20NE06 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 60V - 0.06 ohm - 20A TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET |
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