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STP200NF03 PDF预览

STP200NF03

更新时间： 2024-09-24 22:07:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
14页 558K
描述
N-CHANNEL 30V - 0.0032 ohm - 120A DPAK/IPAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET

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STP200NF03 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：12 weeks
风险等级：7.9其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：1450 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：120 A最大漏极电流 (ID)：120 A
最大漏源导通电阻：0.0036 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：300 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：480 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STP200NF03 数据手册

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STP200NF03  
STB200NF03 STB200NF03-1  
²
²
N-CHANNEL 30V - 0.0032 Ω - 120A D PAK/I PAK/TO-220  
STripFET™ II POWER MOSFET  
AUTOMOTIVE SPECIFIC  
V
R
I
D
TYPE  
DSS  
DS(on)  
STB200NF03/-1  
STP200NF03  
30 V  
30 V  
<0.0036 Ω  
<0.0036 Ω  
120 A(**)  
120 A(**)  
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.0032Ω  
DS  
3
STANDARD THRESHOLD DRIVE  
100% AVALANCHE TESTED  
3
1
2
1
²
I PAK  
²
D PAK  
TO-263  
TO-262  
DESCRIPTION  
This Power MOSFET is the latest development of  
STMicroelectronis unique "Single Feature Size™"  
strip-based process. The resulting transistor  
shows extremely high packing density for low on-  
resistance, rugged avalanche characteristics and  
3
2
1
TO-220  
less critical alignment steps therefore  
remarkable manufacturing reproducibility.  
a
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SWITCHING SPEED  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
Ordering Information  
SALES TYPE  
STB200NF03T4  
STP200NF03  
MARKING  
B200NF03  
P200NF03  
B200NF03  
PACKAGE  
D PAK  
PACKAGING  
TAPE & REEL  
TUBE  
2
TO-220  
2
STB200NF03-1  
TUBE  
I PAK  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Drain-source Voltage (V = 0)  
GS  
Value  
30  
30  
Unit  
V
V
V
DS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
± 20  
120  
120  
480  
300  
2.0  
V
A
A
A
GS  
I (**)  
D
C
I
D
C
I
(•)  
Drain Current (pulsed)  
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
tot  
C
Derating Factor  
W/°C  
V/ns  
J
(1)  
(2)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Single Pulse Avalanche Energy  
Storage Temperature  
1.5  
1.45  
dv/dt  
E
AS  
T
stg  
-55 to 175  
°C  
T
Operating Junction Temperature  
j
(•) Pulse width limited by safe operating area.  
(**) Current Limited by Package  
(1) I ≤120A, di/dt ≤400A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
JMAX  
SD  
DD  
(BR)DSS  
j
o
(2) Starting T = 25 C, I = 60 A, V = 25 V  
j
D
DD  
October 2002  
1/14  
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STP200NF03 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STB60NF06LT4 STMICROELECTRONICS

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STP200NF04L STMICROELECTRONICS

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STP2011PGA50 ETC

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