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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | TO-220, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.73 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 80 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 20 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 20 A | 最大漏源导通电阻： | 0.085 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 150 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 85 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 80 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 80 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大开启时间（吨）： | 95 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP20N06FI | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP20N10 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP20N10FI | ETC |
获取价格 |
OLD PRODUCT: NOT SUITABLE FOR NEW DESIGN-IN |
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| STP20N10L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP20N10LFI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP20N20 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 200V - 0.10 OHM - 18A TO-220/TO-220FP/DPAK LOW GATE CHARGE STripFET II MOSFET |
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| STP20N60M2-EP | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.230 Ohm典型值、13 A MDmesh M2 EP功率MOSF |
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| STP20N65M5 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 650 V, 0.160 Ω typ., 18 A MDmeshâ |
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| STP20N90K5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道900 V、0.21 Ohm典型值、20 A MDmesh K5功率MOSFET，T |
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| STP20N95K5 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 950 V, 0.275 Ω, 17.5 A SuperMESH 5 |
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